ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Transition-Metal Defects in Silicon: New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si

دانلود کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده

Transition-Metal Defects in Silicon: New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si

مشخصات کتاب

Transition-Metal Defects in Silicon: New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Springer Theses 
ISBN (شابک) : 9783642350788, 9783642350795 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2013 
تعداد صفحات: 107 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 29,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، مواد فلزی، خصوصیات و ارزیابی مواد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Transition-Metal Defects in Silicon: New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده



خواص اساسی مراکز درخشندگی عمیق در Si مرتبط با فلزات واسطه مانند مس، نقره، طلا و پلاتین برای دهه‌ها کانون توجه بوده است، هم به عنوان نشانگر این آلاینده‌های مضر و هم در جستجوی کارآمد. انتشار نور مبتنی بر Si

این پایان‌نامه نتایج مطالعات فوتولومینسانس با وضوح فوق‌العاده بالا در این مراکز را در نمونه‌های 28-Si با غنای بالا ارائه می‌کند. وضوح طیفی بسیار بهبود یافته به دلیل این غنی سازی منجر به کشف اثر انگشت ایزوتوپی شد. این اثر انگشت ها نشان می دهد که اجزای تشکیل دهنده جزئیات تمام مراکزی که قبلاً مورد مطالعه قرار گرفته بودند، به درستی شناسایی شده بودند. آنها همچنین وجود چندین خانواده مختلف از مجتمع‌های ناخالصی حاوی چهار یا پنج اتم انتخاب شده از Li، Cu، Ag، Au و Pt را آشکار کردند. اجزای تشکیل دهنده این مراکز، همراه با انرژی های گذار بدون فونون، تغییر ایزوتوپ های بدون فونون، انرژی های حالت ارتعاشی محلی، و تغییر ایزوتوپی انرژی های حالت ارتعاشی محلی تعیین شده اند. داده‌های ارائه‌شده در اینجا برای این مراکز باید برای توضیحات نظری که در حال حاضر به دنبال شکل‌گیری، پایداری و ویژگی‌های آنها هستند، مفید باشد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The fundamental properties of deep luminescence centres in Si associated with transition metals such as Cu, Ag, Au, and Pt have been a focus of interest for decades, both as markers for these deleterious contaminants, and also in the quest for efficient Si-based light emission.

This dissertation presents the results of ultra-high resolution photoluminescence studies of these centres in specially prepared, highly enriched 28-Si samples. The greatly improved spectral resolution due to this enrichment led to the discovery of isotopic fingerprints. These fingerprints have revealed that the detailed constituents of all of the centres previously studied had been identified incorrectly. They also revealed the existence of several different families of impurity complexes containing either four or five atoms chosen from Li, Cu, Ag, Au, and Pt. These centres’ constituents have been determined, together with no-phonon transition energies, no-phonon isotope shifts, local vibrational mode energies, and the isotope shifts of the local vibrational mode energies. The data presented here for these centres should prove useful for the currently sought theoretical explanations of their formation, stability, and properties.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xii
Introduction and Background....Pages 1-28
History of the Observed Centres in Silicon....Pages 29-46
Experimental Method....Pages 47-58
Results....Pages 59-86
Discussion and Conclusion....Pages 87-92
Back Matter....Pages 93-97




نظرات کاربران