دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Michael Steger (auth.)
سری: Springer Theses
ISBN (شابک) : 9783642350788, 9783642350795
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2013
تعداد صفحات: 107
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 5 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، مواد فلزی، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Transition-Metal Defects in Silicon: New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نقایص فلز انتقالی در سیلیکون: بینش جدید از مطالعات فوتولومینسانس 28Si بسیار غنی شده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
خواص اساسی مراکز درخشندگی عمیق در Si مرتبط با فلزات واسطه
مانند مس، نقره، طلا و پلاتین برای دههها کانون توجه بوده است،
هم به عنوان نشانگر این آلایندههای مضر و هم در جستجوی کارآمد.
انتشار نور مبتنی بر Si
این پایاننامه نتایج مطالعات فوتولومینسانس با وضوح فوقالعاده
بالا در این مراکز را در نمونههای 28-Si با غنای بالا ارائه
میکند. وضوح طیفی بسیار بهبود یافته به دلیل این غنی سازی منجر
به کشف اثر انگشت ایزوتوپی شد. این اثر انگشت ها نشان می دهد که
اجزای تشکیل دهنده جزئیات تمام مراکزی که قبلاً مورد مطالعه
قرار گرفته بودند، به درستی شناسایی شده بودند. آنها همچنین
وجود چندین خانواده مختلف از مجتمعهای ناخالصی حاوی چهار یا
پنج اتم انتخاب شده از Li، Cu، Ag، Au و Pt را آشکار کردند.
اجزای تشکیل دهنده این مراکز، همراه با انرژی های گذار بدون
فونون، تغییر ایزوتوپ های بدون فونون، انرژی های حالت ارتعاشی
محلی، و تغییر ایزوتوپی انرژی های حالت ارتعاشی محلی تعیین شده
اند. دادههای ارائهشده در اینجا برای این مراکز باید برای
توضیحات نظری که در حال حاضر به دنبال شکلگیری، پایداری و
ویژگیهای آنها هستند، مفید باشد.
The fundamental properties of deep luminescence centres in Si
associated with transition metals such as Cu, Ag, Au, and Pt
have been a focus of interest for decades, both as markers
for these deleterious contaminants, and also in the quest for
efficient Si-based light emission.
This dissertation presents the results of ultra-high
resolution photoluminescence studies of these centres in
specially prepared, highly enriched 28-Si samples. The
greatly improved spectral resolution due to this enrichment
led to the discovery of isotopic fingerprints. These
fingerprints have revealed that the detailed constituents of
all of the centres previously studied had been identified
incorrectly. They also revealed the existence of several
different families of impurity complexes containing either
four or five atoms chosen from Li, Cu, Ag, Au, and Pt. These
centres’ constituents have been determined, together with
no-phonon transition energies, no-phonon isotope shifts,
local vibrational mode energies, and the isotope shifts of
the local vibrational mode energies. The data presented here
for these centres should prove useful for the currently
sought theoretical explanations of their formation,
stability, and properties.
Front Matter....Pages i-xii
Introduction and Background....Pages 1-28
History of the Observed Centres in Silicon....Pages 29-46
Experimental Method....Pages 47-58
Results....Pages 59-86
Discussion and Conclusion....Pages 87-92
Back Matter....Pages 93-97