Transistormeßtechnik

تکنولوژی ترانزیستور یکی از حوزه هایی است که در سال های اخیر پیشرفت های فنی و اقتصادی قابل توجهی در آن حاصل شده است. فناوری اندازه گیری ترانزیستور که با فرآیند تعیین مقادیر مشخصه و پارامترهای ترانزیستور سروکار دارد، سهم تعیین کننده ای در این توسعه داشته است. بنابراین به نظر می رسد در زمان حاضر، توصیف منسجمی از روش های اندازه گیری متنوع موجه باشد. پیدایش "تکنیک اندازه گیری ترانزیستور" دلایل مختلفی دارد: ترانزیستور با توجه به عملکردش باید با مقادیر مشخصه تری نسبت به لوله الکترونی توصیف شود که از این نظر بسیار راحت تر است. مقادیر مشخصه همچنین به طیف وسیعی از پارامترها مانند فرکانس، نقطه کار و دما بستگی دارد که به دلایل اقتصادی مانع از ارائه اطلاعات تقریباً کافی برای بسیاری از مناطق کاربرد توسط سازنده می شود. خطر بارگذاری بیش از حد ترانزیستور، که نسبتاً آسان رخ می دهد، همچنین سازنده را مجبور می کند تعداد زیادی از مقادیر مشخصه و محدودیت های ایمنی را مشخص کند که همه آنها به صورت تجربی بررسی می شوند. در نهایت - به خصوص در مرحله اول توسعه - پراکندگی زیاد پارامترها که اکنون توسط فناوری مسطح محدود شده است، باعث تلاش زیادی برای اندازه گیری از طرف سازنده شد تا بتواند محدودیت های پراکندگی قابل قبول را اندازه گیری کند. کاربر. هدف فناوری اندازه گیری ترانزیستور، روش های اصلی اندازه گیری جریان ضعیف فی نفسه نیست، بلکه سازگاری و کاربرد آنها با ترانزیستور با در نظر گرفتن ویژگی های خاص آن است. از همان ابتدا، انبوهی از روش‌های شناخته شده نتوانستند فراتر از آنچه که اساساً برای درک و تجزیه و تحلیل طرح‌های مدارهای متعدد با جزئیات لازم بود، بروند. این کوتاه شدن باید به نفع ارائه واضح تر قابل توجیه باشد.

Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormeßtechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngrößen des Transistors be­ schäftigt, in ganz entscheidendem Maße Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfältigen Meßverfahren erscheint deshalb zum gegenwärtigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormeßtechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muß, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen­ röhre. Die Kennwerte hängen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Gründen versagen, auch nur annähernd ausreichendes Datenmaterial für die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der Überlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine größere Anzahl von Kenn­ werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schließlich veranlaßten - vor allem in der ersten Entwicklungs­ phase - die großen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngrößen einen hohen meßtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermaßen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu können. Gegenstand der Transistormeßtechnik sind nicht die grundsätzlichen schwach­ stromtechnischen Meßverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An­ wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fülle der bekannt gewordenen Verfahren versagte es von vornherein, über das zum Ver­ ständnis grundsätzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs­ auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Kürzung dürfte zugunsten einer über­ sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.