ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Transistoren bei großer Aussteuerung

دانلود کتاب ترانزیستور با مدولاسیون بالا

Transistoren bei großer Aussteuerung

مشخصات کتاب

Transistoren bei großer Aussteuerung

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Nachrichtentechnische Fachberichte 27 
ISBN (شابک) : 9783663031734, 9783663043621 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1963 
تعداد صفحات: 95 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 35,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستور با مدولاسیون بالا: مهندسی، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 2


در صورت تبدیل فایل کتاب Transistoren bei großer Aussteuerung به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستور با مدولاسیون بالا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستور با مدولاسیون بالا



کنفرانس تخصصی \"ترانزیستورها با مدولاسیون بالا\" که توسط کمیته فنی 3 \"نیمه هادی\" انجمن فنی ارتباطات در VDE (NTG) از 10 تا 13 آوریل 1962 در آخن سازماندهی شد، با یک جلسه بحث و گفتگو برگزار شد. از کمیته فنی در هامبورگ، که چنان علاقه شدیدی را برانگیخت که کمیته متخصص فکر کرد درست است که ارائه های هامبورگ را برای یک حلقه بزرگتر، به ویژه برای اعضای NTG ما در دسترس قرار دهد. با این حال، برنامه سخنرانی سپس تا حد زیادی دوباره طراحی شد و بیش از همه با سخنرانی های کلی توسط R. Wiesner، W. Engbert و H. P. Kleinknecht کامل شد. البته سخنرانی های آخن باید در اسرع وقت منتشر شود. به لطف حمایت درک ما از سردبیر و ناشر NTZ، همه سخنرانی ها توانستند در چهار شماره متوالی NTZ (ژوئیه تا اکتبر 1962) ارائه شوند. این مقالات دوباره در این جلد خلاصه شده است. سخنرانی F. Weitzsch که قبلاً به تفصیل در آرشیو el. Übertragung 16 (1962)، 5.335-343 ظاهر شده است، با یک سخنرانی ارائه شده است. سخنرانی D. Gossel به صورت گسترده ارائه شد. به این ترتیب می‌توانیم امیدوار باشیم که به تمام خواسته‌های همکاران و خوانندگان علاقه‌مند خود برسیم.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Der Fachtagung "Transistoren bei großer Aussteuerung", die vom Fachausschuß 3 "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis 13. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, daß es dem Fachausschuß richtig erschien, die Hamburger Referate einem größeren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zugänglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch übersichtsvorträge von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverständlich sollten die Aachener Vorträge möglichst rasch veröffentlicht werden. Durch die verständnisvolle Unterstüzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn­ ten alle Vorträge in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er­ scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsätze nochmals zusammengefaßt. Der Vortrag von F. Weitzsch, der ausführlich schon im Archiv für el. übertragung 16 (1962), 5.335-343 er­ schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter Form gebracht. So können wir hoffen, allen Wünschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-iv
Das Verhalten des Transistors bei großer Aussteuerung....Pages 1-10
Effekte in Mesatransistoren bei großer Stromdichte....Pages 11-18
Vergleich von Verstärker- und Schalttransistoren....Pages 19-24
Zur Frage der Sperrschichtberührung bei Transistoren....Pages 25-31
Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement....Pages 32-40
Die Kenndaten des Schalttransistors....Pages 41-44
Meßverfahren für Großsignal-Kenngrößen....Pages 45-49
Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb....Pages 50-53
Wärmeprobleme bei Transistoren im Impulsbetrieb....Pages 55-57
Der Mitlaufeffekt und das thermische Ersatzschaltbild....Pages 57-64
Multivibratorschaltungen mit Transistoren für extrem große kontinuierlich steuerbare Frequenzvariation....Pages 65-79
Großsignalsinusverhalten von Legierungstransistoren bei hohen Frequenzen....Pages 80-85
Transistorverstärker mit Impulsanstiegszeiten von weniger als 5 ns....Pages 85-90
Back Matter....Pages 91-92




نظرات کاربران