دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Ming?Dou Ker. Sheng?Fu Hsu(auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780470824078, 9780470824092
ناشر:
سال نشر:
تعداد صفحات: 256
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 38 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Transient-Induced Latchup in CMOS Integrated Circuits به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اتصال القایی گذرا در مدارهای مجتمع CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
محتوا:
مقدمه فصل 1 (صفحات 1-21):
فصل 2 مکانیسم فیزیکی TLU تحت سیستم؟ سطح تست ESD (صفحات
23-45):
جزء فصل 3؟ اندازه گیری سطح برای TLU تحت سیستم ملاحظات ESD سطح
سیستم (صفحههای 47-73):
فصل 4 وابستگی TLU به توان تست گذرا سریع الکتریکی (صفحات
95-112):
روش فصل 6 در مورد استخراج قوانین چیدمان فشرده برای جلوگیری از
لچاپ (صفحات 113-150):
فصل 7 مسائل طرح بندی ویژه برای پیشگیری از لچاپ (صفحه های
151-168):
فصل 8 پیشگیری از TLU در برق؟ مدارهای گیره ESD ریلی (صفحات
169-206):
خلاصه فصل 9 (صفحات 207-210):
Content:
Chapter 1 Introduction (pages 1–21):
Chapter 2 Physical Mechanism of TLU under the System?Level ESD
Test (pages 23–45):
Chapter 3 Component?Level Measurement for TLU under
System?Level ESD Considerations (pages 47–73):
Chapter 4 TLU Dependency on Power?Pin Damping Frequency and
Damping Factor in CMOS Integrated Circuits (pages 75–93):
Chapter 5 TLU in CMOS ICs in the Electrical Fast Transient Test
(pages 95–112):
Chapter 6 Methodology on Extracting Compact Layout Rules for
Latchup Prevention (pages 113–150):
Chapter 7 Special Layout Issues for Latchup Prevention (pages
151–168):
Chapter 8 TLU Prevention in Power?Rail ESD Clamp Circuits
(pages 169–206):
Chapter 9 Summary (pages 207–210):
Front Cover......Page 1
Front Matter......Page 2
Copyright Page......Page 5
Contents......Page 6
Preface......Page 12
1.1 Latchup Overview......Page 15
1.3 Categories of TLU-Triggering Modes......Page 21
1.4 TLU Standard Practice......Page 30
References......Page 33
2.1 Background......Page 37
2.2 TLU in the System-Level ESD Test......Page 38
2.3 Test Structure......Page 40
2.4 Measurement Setup......Page 42
2.5 Device Simulation......Page 44
2.6 TLU Measurement......Page 49
2.7 Discussion......Page 51
2.8 Conclusion......Page 53
References......Page 54
3.1 Background......Page 55
3.2 Component-Level TLU Measurement Setup......Page 56
3.3 Influence of the Current-Blocking Diode and Current-Limiting Resistance on the Bipolar Trigger Waveforms......Page 58
3.4 Influence of the Current-Blocking Diode and Current-Limiting Resistance on the TLU Level......Page 61
3.5 Verifications of Device Simulation......Page 64
3.6 Suggested Component-Level TLU Measurement Setup......Page 67
3.7 TLU Verification on Real Circuits......Page 68
3.8 Evaluation on Board-Level Noise Filters to Suppress TLU......Page 70
3.9 Conclusion......Page 74
References......Page 75
Nomenclature......Page 76
4.1 Examples of Different DFreq and DFactor in the System-Level ESD Test......Page 77
4.2 TLU Dependency on DFreq and DFactor......Page 80
4.3 Experimental Verification on TLU......Page 83
4.4 Suggested Guidelines for TLU Prevention......Page 85
4.5 Conclusion......Page 87
References......Page 88
5.1 Electrical Fast Transient Test......Page 89
5.2 Test Structure......Page 92
5.3 Experimental Measurements......Page 94
5.4 Evaluation on Board-Level Noise Filters to Suppress TLU in the EFT Test......Page 97
5.5 Conclusion......Page 101
References......Page 102
6.1 Introduction......Page 103
6.2 Latchup Test......Page 104
6.3 Extraction of Layout Rules for I/O Cells......Page 108
6.4 Extraction of Layout Rules for Internal Circuits......Page 113
6.5 Extraction of Layout Rules between I/O Cells and Internal Circuits......Page 118
6.6 Conclusion......Page 124
References......Page 125
7.1 Latchup between Two Different Power Domains......Page 127
7.2 Latchup in Internal Circuits Adjacent to Power-Rail ESD Clamp Circuits......Page 131
7.3 Unexpected Trigger Point to Initiate Latchup in Internal Circuits......Page 133
7.4 Other Unexpected Latchup Paths in CMOS ICs......Page 137
7.5 Conclusion......Page 139
References......Page 140
8.1 In LV CMOS ICs......Page 142
8.2 In HV CMOS ICs......Page 153
8.3 Conclusion......Page 161
References......Page 162
9.1 TLU in CMOS ICs......Page 164
9.2 Extraction of Compact and Safe Layout Rules for Latchup Prevention......Page 166
A.1 For I/O Cells......Page 167
A.2 For Internal Circuits......Page 174
A.3 For between I/O and Internal Circuits......Page 177
A.4 For Circuits across Two Different Power Domains......Page 182
A.5 Suggested Layout Guidelines......Page 185
Index......Page 188