Toward Quantum FinFET

این کتاب طیف وسیعی از پدیده‌های کوانتومی را در ترانزیستورهای جدید در مقیاس نانو به نام FinFET بررسی می‌کند، از جمله رسانایی کوانتومی انتقال یک بعدی، اثر تک الکترونی، انتقال تونل‌زنی و غیره. هدف ایجاد یک پل اساسی بین FinFET کوانتومی و فناوری نانو است. برای برانگیختن علاقه خوانندگان به توسعه انواع جدیدی از فناوری نیمه هادی. اگرچه توسعه سریع ساخت میکرو نانو روند کاهش مقیاس ماسفت را که از کانال مسطح به FinFET غیرمسطح در حال تکامل است، هدایت می کند، انتظار می رود فناوری CMOS مبتنی بر سیلیکون در آینده نزدیک با محدودیت های اساسی مواجه شود. بنابراین، انواع جدیدی از دستگاه‌های نانومقیاس به شدت در حال بررسی هستند تا از اثر کوانتومی در حمل و نقل حامل استفاده کنند. اثر محصور شدن کوانتومی FinFET در دمای اتاق به دنبال پیشرفت فناوری در مقیاس زیر 10 نانومتر در نانوسیم‌های سیلیکونی گزارش شد. با فصل‌هایی که توسط دانشمندان پیشرو در سراسر جهان نوشته شده است، به سوی کوانتومی فین‌FET مقدمه‌ای جامع در این زمینه و همچنین بستری برای اشتراک‌گذاری دانش و انتشار آخرین پیشرفت‌ها فراهم می‌کند. این کتاب به عنوان یک نقشه راه برای هدایت تحقیقات بیشتر در زمینه ای با اهمیت روزافزون برای توسعه آینده علم مواد، فناوری نانوساخت و دستگاه های الکترونیکی نانو، می تواند برای دپارتمان های فیزیک، مهندسی برق و علوم مواد و به عنوان مرجع توصیه شود. در مورد علم الکترونیک میکرو نانو و طراحی دستگاه.

• پوشش جامعی از ترانزیستورهای جدید در مقیاس نانو با اثر محصور شدن کوانتومی ارائه می‌کند
• کلیدهایی را برای درک ناحیه در حال ظهور FinFET کوانتومی ارائه می‌کند.
• نوشته شده توسط کارشناسان برجسته در هر حوزه تحقیقاتی
• یک فن آوری کلیدی را برای تحقیق و توسعه نانوساخت و وسایل الکترونیکی نانو توضیح می دهد

This book reviews a range of quantum phenomena in novel nanoscale transistors called FinFETs, including quantized conductance of 1D transport, single electron effect, tunneling transport, etc. The goal is to create a fundamental bridge between quantum FinFET and nanotechnology to stimulate readers' interest in developing new types of semiconductor technology. Although the rapid development of micro-nano fabrication is driving the MOSFET downscaling trend that is evolving from planar channel to nonplanar FinFET, silicon-based CMOS technology is expected to face fundamental limits in the near future. Therefore, new types of nanoscale devices are being investigated aggressively to take advantage of the quantum effect in carrier transport. The quantum confinement effect of FinFET at room temperatures was reported following the breakthrough to sub-10nm scale technology in silicon nanowires. With chapters written by leading scientists throughout the world, Toward Quantum FinFET provides a comprehensive introduction to the field as well as a platform for knowledge sharing and dissemination of the latest advances. As a roadmap to guide further research in an area of increasing importance for the future development of materials science, nanofabrication technology, and nano-electronic devices, the book can be recommended for Physics, Electrical Engineering, and Materials Science departments, and as a reference on micro-nano electronic science and device design.

• Offers comprehensive coverage of novel nanoscale transistors with quantum confinement effect
• Provides the keys to understanding the emerging area of the quantum FinFET
• Written by leading experts in each research area
• Describes a key enabling technology for research and development of nanofabrication and nanoelectronic devices