دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Brajesh Kumar Kaushik, Vobulapuram Ramesh Kumar, Manoj Kumar Majumder, Arsalan Alam سری: ISBN (شابک) : 9781498745529, 1498745539 ناشر: CRC Press سال نشر: 2017 تعداد صفحات: 232 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب از طریق سیلیکون: مواد، مدلها، طراحی و عملکرد: اتصالات (فناوری مدارهای مجتمع)، مدارهای مجتمع سه بعدی.، فناوری و مهندسی / مکانیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Through silicon vias: materials, models, design, and performance به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب از طریق سیلیکون: مواد، مدلها، طراحی و عملکرد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
پیشرفتهای اخیر در فنآوری نیمهرسانا، دسترسی عمودی (از طریق) را ارائه میدهد که از طریق سیلیکون گسترش مییابد، که عموماً به عنوان از طریق سیلیکون از طریق (TSV) شناخته میشود. این کتاب بررسی جامعی از نظریه پشت TSV ها ارائه می دهد و در عین حال آخرین پیشرفت های اخیر در مواد، مدل ها و طرح ها را پوشش می دهد. علاوه بر این، بسته به هندسه و پیکربندیهای فیزیکی، مدلهای معادل الکتریکی مختلف برای TSVهای مبتنی بر Cu، نانولوله کربنی (CNT) و نانوروبان گرافن (GNR) ارائه شدهاند. بر اساس مدلهای معادل الکتریکی، مقایسه عملکرد بین TSVهای مبتنی بر Cu، CNT و GNR نیز مورد بحث قرار میگیرد.
Recent advances in semiconductor technology offer vertical interconnect access (via) that extend through silicon, popularly known as through silicon via (TSV). This book provides a comprehensive review of the theory behind TSVs while covering most recent advancements in materials, models and designs. Furthermore, depending on the geometry and physical configurations, different electrical equivalent models for Cu, carbon nanotube (CNT) and graphene nanoribbon (GNR) based TSVs are presented. Based on the electrical equivalent models the performance comparison among the Cu, CNT and GNR based TSVs are also discussed.
Content: 1. Three-dimensional technology and packaging techniques --
2. Through silicon vias : materials, properties, and fabrication --
3. Copper-based through silicon vias --
4. Modeling and performance analysis of CNT-based through silicon vias --
5. Mixed CNT bundled through silicon vias --
6. Graphene nanoribbon-based through silicon vias --
7. Liners in through silicon vias --
8. Modeling of through silicon vias using finite-difference time-domain technique.