Thermoelectrical Effect in SiC for High-Temperature MEMS Sensors

این کتاب اصول اثر ترموالکتریکی در کاربید سیلیکون (SiC)، از جمله اثرات حرارتی، حرارتی، حرارتی خازنی و ترموالکترونیکی را ارائه می‌کند. این رشد SiC، خواص و فرآیندهای ساخت آن برای دستگاه‌های SiC را خلاصه می‌کند و تئوری‌های حسگر ترموالکتریکی را در مورفولوژی‌ها و پلی‌تیپ‌های مختلف SiC معرفی می‌کند. علاوه بر این، پیشرفت‌های اخیر در توصیف اثر ترموالکتریکی در SiC در دماهای بالا را بررسی می‌کند. با بحث در مورد چندین ویژگی مطلوب حسگرهای SiC ترموالکتریک و پیشرفت‌های اخیر در این حسگرها، این کتاب راهنمایی مفیدی را در زمینه توسعه دستگاه‌های حسگر SiC با حساسیت بالا و خطی و پاسخ سریع بر اساس اثرات ترموالکتریکی ارائه می‌کند.

This book presents the fundamentals of the thermoelectrical effect in silicon carbide (SiC), including the thermoresistive, thermoelectric, thermocapacitive and thermoelectronic effects. It summarizes the growth of SiC, its properties and fabrication processes for SiC devices and introduces the thermoelectrical sensing theories in different SiC morphologies and polytypes. Further, it reviews the recent advances in the characterization of the thermoelectrical effect in SiC at high temperatures. Discussing several desirable features of thermoelectrical SiC sensors and recent developments in these sensors, the book provides useful guidance on developing high sensitivity and linearity, fast-response SiC sensing devices based on thermoelectrical effects.