The Physics of Submicron Semiconductor Devices

مقالات موجود در این جلد، سخنرانی‌هایی را نشان می‌دهد که در سال 1983 ناتو ASI در اوربینو، ایتالیا برگزار شد. این مجموعه سخنرانی برای شناسایی فیزیک، حمل و نقل، مواد و مسائل مربوط به دستگاه های زیر میکرونی و اولترازیر میکرون کلیدی طراحی شده است. حمل و نقل غیر تعادلی، حمل و نقل کوانتومی، محدودیت های سطحی و اندازه نیز برجسته شدند. ASI توسط ناتو و دفتر تحقیقات اروپا پشتیبانی می شد. H. L. Grubin D. K. Ferry C. Jacoboni v محتویات مدل‌سازی دستگاه‌های زیر میکرونی................... .......... 1 E. معادله حمل و نقل بولتزمن ثابت ... ... ...... .................... 33 K. هس حمل و نقل و ملاحظات مادی برای دستگاه های زیر میکرون. . .. . . . .. . . .. .. ..... ... .. . . .. . . .. . . . . . . . . . 45 H. L. Grubin EPITAXIAL Growth FOR SUB MICRON Structures.................. 179 C. E. C. واسط های عایق/نیمه هادی چوب................ .......... 195 C. W. Wilms en تئوری ساختار الکترونیکی سطوح و رابط های نیمه هادی................................ ............... 223 C. Calandra DEEP LEVELS AT COMPOUND-SMICONDICTOR Interfaces........... 253 W. Monch ENSEMBLE MONTE CARLO TECHNIQUES..... ........................ 289 C. Jacoboni NOISE AND DIFFUSION IN SUBMICRON Structures................ 323 L. Reggiani SUPERLATTICES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361 . . . . . . . . . . . . K. Hess SUBMICRON LITHOGRAPHY 373 C. D. W. Wilkinson and S. P. Beaumont QUANTUM EFECTS IN DEVICE Structures Due to Submicron Confinement IN ONE DIMENSION... ....................... 401 B. D. McCombe vii viii محتویات فیزیک ناهمسان سازه ها و دستگاه های ناهمسان..... 445 P. J. اثرات همبستگی قیمت در زمان کوتاه، NONS TAT I NARY TRANSPORT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477 . . . . . . . . . . . . J. J. Niez DEVICE-DEVICE Interactions............ ...................... 503 D. K. Ferry QUANTUM TRANSPORT AND THE WIGNER FUNCTION. ................. 521 G. J. Iafrate اندازه گیری های مادون قرمز دور OVERSHOT سرعت و دینامیک الکترون داغ در دستگاه های نیمه هادی............. 577 S. J. Allen ، جونیور

The papers contained in the volume represent lectures delivered as a 1983 NATO ASI, held at Urbino, Italy. The lecture series was designed to identify the key submicron and ultrasubmicron device physics, transport, materials and contact issues. Nonequilibrium transport, quantum transport, interfacial and size constraints issues were also highlighted. The ASI was supported by NATO and the European Research Office. H. L. Grubin D. K. Ferry C. Jacoboni v CONTENTS MODELLING OF SUB-MICRON DEVICES.................. .......... 1 E. Constant BOLTZMANN TRANSPORT EQUATION... ... ...... .................... 33 K. Hess TRANSPORT AND MATERIAL CONSIDERATIONS FOR SUBMICRON DEVICES. . .. . . . . .. . . . .. . .. . .... ... .. . . . .. . . . .. . . . . . . . . . . 45 H. L. Grubin EPITAXIAL GROWTH FOR SUB MICRON STRUCTURES.................. 179 C. E. C. Wood INSULATOR/SEMICONDUCTOR INTERFACES.......................... 195 C. W. Wilms en THEORY OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR SURFACES AND INTERFACES......................................... 223 C. Calandra DEEP LEVELS AT COMPOUND-SEMICONDUCTOR INTERFACES........... 253 W. Monch ENSEMBLE MONTE CARLO TECHNIqUES............................. 289 C. Jacoboni NOISE AND DIFFUSION IN SUBMICRON STRUCTURES................. 323 L. Reggiani SUPERLATTICES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361 . . . . . . . . . . . . K. Hess SUBMICRON LITHOGRAPHY 373 C. D. W. Wilkinson and S. P. Beaumont QUANTUM EFFECTS IN DEVICE STRUCTURES DUE TO SUBMICRON CONFINEMENT IN ONE DIMENSION.... ....................... 401 B. D. McCombe vii viii CONTENTS PHYSICS OF HETEROSTRUCTURES AND HETEROSTRUCTURE DEVICES..... 445 P. J. Price CORRELATION EFFECTS IN SHORT TIME, NONS TAT I ONARY TRANSPORT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477 . . . . . . . . . . . . J. J. Niez DEVICE-DEVICE INTERACTIONS............ ...................... 503 D. K. Ferry QUANTUM TRANSPORT AND THE WIGNER FUNCTION................... 521 G. J. Iafrate FAR INFRARED MEASUREMENTS OF VELOCITY OVERSHOOT AND HOT ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTOR DEVICES............. 577 S. J. Allen, Jr.