ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب The Physics and Technology of Amorphous SiO2

دانلود کتاب فیزیک و فناوری SiO2 آمورف

The Physics and Technology of Amorphous SiO2

مشخصات کتاب

The Physics and Technology of Amorphous SiO2

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781461283010, 9781461310310 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1988 
تعداد صفحات: 551 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 18 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 34,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک و فناوری SiO2 آمورف: خصوصیات و ارزیابی مواد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب The Physics and Technology of Amorphous SiO2 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک و فناوری SiO2 آمورف نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک و فناوری SiO2 آمورف



محتوای این جلد بیشتر مقالات ارائه شده به صورت شفاهی یا پوستر در کنفرانس بین المللی در Les rd th Arcs، Savoie، از 29 ژوئن تا 3 ژوئیه 1987 ارائه شده است. هدف اعلام شده کنفرانس گرد هم آوردن بود. متخصصانی که در زمینه های مختلف، چه دانشگاهی و چه کاربردی، کار می کنند تا وضعیت درک ما از فیزیک سیوز آمورف را از نقطه نظر ساختار، عیوب (اعم از ذاتی و بیرونی)، توانایی آن در انتقال جریان و اتهامات تله، حساسیت آن به تابش و غیره. به همین دلیل، جلسات، مانند برنامه کنفرانس، به تعدادی بخش تقسیم می شود که از دیدگاه نسبتاً آکادمیک ساختار داخلی Si0 ایده آل شده شروع می شود و 2 به سمت موضوعات افزایش می یابد. اهمیت فن آوری مانند حمل بار و به دام انداختن و شکست در لایه های نازک. این روند با بخشی در مورد کاربردهای جدید SiOz آمورف و به ویژه، لایه های اکسید مدفون که توسط کاشت یون تشکیل شده اند، خاتمه می یابد. اگرچه در کنفرانس تمام تلاشی انجام شد تا اطمینان حاصل شود که هر ارائه در بدیهی ترین جلسه خود انجام می شود، در ویرایش مقالات ما آزادی عمل تغییر ترتیب را در جایی که به نظر می رسد مقاله در واقع برای بخش جایگزین مناسب تر است، گرفته ایم. در هر صورت، به دلیل همپوشانی طبیعی موضوعات، بسیاری از مقالات می توانستند به طور مناسب در چندین بخش مختلف قرار گیرند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The contents of this volume represent most of the papers presented either orally or as posters at the international conference held in Les rd th Arcs, Savoie, from June 29 to July 3 1987. The declared objective of the conference was to bring together specialists working in various fields, both academic and applied, to examine the state of our under­ standing of the physics of amorphous sioz from the point of view of its structure, defects (both intrinsic and extrinsic), its ability to trans­ port current and to trap charges, its sensitivity to irradiation, etc. For this reason, the proceedings is divided, as was the conference schedule, into a number of sections starting from a rather academic viewpoint of the internal structure of idealized Si0 and progressing 2 towards subjects of increasing technological importance such as charge transport and trapping and breakdown in thin films. The proceedings terminates with a section on novel applications of amorphous SiOz and in particular, buried oxide layers formed by ion implantation. Although every effort was made at the conference to ensure that each presentation occured in its most obvious session, in editing the proceedings we have taken the liberty of changing the order where it seems that a paper was in fact more appropriate to an alternative section. In any event, because of the natural overlap of subjects, many papers could have been suitably placed in several different sections.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xii
Current Models for Amorphous SiO 2 ....Pages 1-13
Structural Similarities and Dissimilarities Between SiO 2 and H 2 O....Pages 15-35
Geometrical Methods in the Theory of Glassses....Pages 37-46
Low Lying Excitations in Silica....Pages 47-53
New Methods of IR Spectroscopic Investigation of Amorphous Insulating Films....Pages 55-61
Vibrational Studies of Amorphous SiO 2 ....Pages 63-70
Raman Spectra of SiO 2 Fibers at High Tensile Strain....Pages 71-75
A Comparison of the Structure of a-SiO 2 Prepared by Different Routes....Pages 77-82
NMR Studies of Neutron-Irradiated Crystalline and Vitreous Silica....Pages 83-89
Electronic Structure of Defects in Amorphous SiO 2 ....Pages 91-101
Electron and Hole Traps Related to A π-Bonded Oxygen Vacancy Center in SiO 2 ....Pages 103-106
Theory of Oxygen-Vacancy Defects in Silicon Dioxide....Pages 107-112
Total Energy Calculations for Intrinsic Defects in Amorphous SiO 2 ....Pages 113-117
Boron Impurity Centers in SiO 2 a Tight Binding Consideration....Pages 119-124
Intrinsic and Extrinsic Point Defects in a-SiO 2 ....Pages 125-134
Self-Trapped Excitons in Amorphous and Crystalline SiO 2 ....Pages 135-140
Identification of Native Defects in a-SiO 2 ....Pages 141-151
UV and VUV Optical Absorption due to Intrinsic and Laser Induced Defects in Synthetic Silica Glasses....Pages 153-159
Incommensurate Phase of Quartz: Microscopic Origin and Interaction with Defects....Pages 161-164
Gamma-Ray Induced 2 eV Optical Absorption Band in Pure-Silica Core Fibers....Pages 165-170
On the Decay of X-Ray Induced Luminescence of SiO 2 ....Pages 171-174
Transformation of Radiation Induced Defect Centers as a Probe of Molecular Diffusion in a-SiO 2 ....Pages 175-179
Observation of the Neutral Oxygen Vacancy in Silicon Dioxide....Pages 181-186
New Insight Into the Structure of SiO 2 Glass from a Point Defect Study....Pages 187-192
Hydrogen Bonds Between Peroxy Radicals and Hydrogen Molecules in SiO 2 Glass....Pages 193-198
ESR Studies of Paramagnetic Defects formed in Amorphous SiO 2 by High Energy Heavy Ions....Pages 199-203
On the Radiation Induced Coloration of SiO 2 ....Pages 205-210
Effects of Processing on Radiation Damage Thresholds in Silica Glasses....Pages 211-214
The Structure of Defects in Doped SiO 2 ....Pages 215-221
Electrical and Optical Characteristics of Vanadium Doped Amorphous Silicon Dioxide Films Prepared by CVD....Pages 223-229
Theory of Dangling Orbital Defects at the <111> Si/SiO 2 Interface....Pages 231-235
Structure and Hyperfine Interaction of Si 3 ≡ Si• Defect Clusters....Pages 237-247
On the Relationship Between Thermal Growth and Thickness Inhomogeneities in Very Thin SiO 2 Films....Pages 249-254
The P b Center at the Si-SiO 2 Precipitate Interfaces in Buried Oxide Materials: 29 Si Hyperfine Interactions and Linewidths....Pages 255-258
Metastabile and Multiply-Charged Individual Defects at the Si:SiO 2 Interface....Pages 259-265
The Influence of Disorder on the Si 2p XPS Lineshape at the Si — SiO 2 Interface....Pages 267-272
Si — SiO 2 Interfaces — a Hrtem Study....Pages 273-277
Electrical and Interface Properties of MOS Structures of Getter Treated Silicon....Pages 279-283
Influence of Different Preparation Methods on Interfacial (SiO 2 /Si) Parameters of Very Thin SiO 2 Layers....Pages 285-289
Thermal Oxidation of Silicon....Pages 291-296
A Framework for Incorporating Memory Effects of Structural Relaxation in Models for Thermal Oxidation of Silicon....Pages 297-306
Analysis of Stress Relaxation and Growth Kinetics for Two-Step Thermal Oxidation of Silicon....Pages 307-313
Photo-Induced Oxidation Processes in Silicon....Pages 315-319
Growth and Structure of Argon Laser Grown SiO 2 ....Pages 321-329
Transport Properties of Plasma Enhanced CVD Silicon Oxynitride Films....Pages 331-336
Characteristics of SiO 2 and SiO X N Y , Obtained by Rapid Thermal Processes....Pages 337-343
Evidence for Oxygen Bubbles in Fluorine Doped Amorphous Silicon Dioxide Thin Films....Pages 345-352
Low Temperature P.E.C.V.D. Silicon Rich Silicon Dioxide Films Doped with Fluorine....Pages 353-358
High Field Transport in SiO 2 ....Pages 359-363
Hot Electrons in SiO 2 : Ballistic and Steady-State Transport....Pages 365-373
Electronic Charge Transport in Thin SiO 2 Films....Pages 375-389
The Role of Hole Traps in the Degradation of Thermally Grown SiO 2 Layers....Pages 391-409
The Influence of High Temperature Nitrogen Annealing on the Electrical Properties of Plasma Nitrided Oxides....Pages 411-419
High-Field Positive-Charge Generation and its Relation to Breakdown in a-SiO 2 ....Pages 421-425
Breakdown Mechanisms of Thermally Grown....Pages 427-441
Field Dependence of Time-To-Breakdown Distribution of Thin Oxides....Pages 443-447
Radiation Effects in MOS VLSI Structures....Pages 449-454
Relationship Between Hole Trapping and Interface....Pages 455-463
Radiation-Induced Conductivity of Thin Silicon Dioxide Films on Silicon....Pages 465-471
Interface Degradation in Short-Channel MOSFETs....Pages 473-479
Synthesis of Buried Dielectric Layers in Silicon by Ion Implantation....Pages 481-486
Electrical Properties of Simox Material and Devices....Pages 487-516
Formation Mechanisms and Structures of Thin Buried Layers of SiO 2 Fabricated Using Ion Beam Synthesis....Pages 517-530
Low-Temperature ESR Study of SIMOX Structures....Pages 531-537
Defects in Silicon-on-Insulator Structures Formed by O + Implantation: Their Dependence on Implantation Temperature....Pages 539-545
Interface Properties and Recombination Mechanisms in Simox Structures....Pages 547-552
Porous Silica Sol-Gel Coatings for Nd: Glass High-Power Pulsed Laser Uses....Pages 553-559
Vacuum Re-Emission of Positrons from a-SiO 2 Layers....Pages 561-567
Back Matter....Pages 569-573
....Pages 575-579




نظرات کاربران