ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface

دانلود کتاب فیزیک و شیمی SiO2 و رابط Si-SiO2

The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface

مشخصات کتاب

The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface

ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781489907769, 9781489907745 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1988 
تعداد صفحات: 543 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 34 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 43,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک و شیمی SiO2 و رابط Si-SiO2: الکتروشیمی، شیمی فیزیک، مهندسی برق، مواد نوری و الکترونیکی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک و شیمی SiO2 و رابط Si-SiO2 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک و شیمی SiO2 و رابط Si-SiO2



خواص Si02 و رابط Si-Si02 اساس کلیدی را فراهم می کند که اکثر فناوری دستگاه های نیمه هادی بر روی آن ساخته شده است. دستگاه‌ها و همچنین در سرامیک، علم مواد، متالورژی، زمین‌شناسی و کانی‌شناسی، به نام چند مورد. این گروه ها به ندرت با یکدیگر تماس دارند، حتی اگر اغلب جنبه های کاملا مشابه سیستم Si02 را بررسی می کنند. با مایل به تسهیل تعامل بین این گروه ها، ما تصمیم گرفتیم سمپوزیومی را در مورد فیزیک و شیمی Si()z و رابط Si-Si()z زیر نظر انجمن الکتروشیمیایی، که تعدادی از گروه های مناسب را نمایندگی می کند، سازماندهی کنیم. . این سمپوزیوم در یکصد و هفتاد و سومین نشست انجمن الکتروشیمیایی در آتلانتا، جورجیا، 15 تا 20 می 1988 برگزار شد. در سال 1978 در mM برگزار شد. ما سمپوزیوم حاضر را پس از کنفرانس 1978 و همچنین ادامه آن در ایالت کارولینای شمالی در سال 1980 الگوبرداری کردیم. البته پیشرفت های زیادی در این ده سال حاصل شده است و سمپوزیوم این فرصت را به ما داده است که نگاهی چند رشته ای به این پیشرفت بیندازید.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The properties of Si02 and the Si-Si02 interface provide the key foundation onto which the majority of semiconductor device technology has been built Their study has consumed countless hours of many hundreds of investigators over the years, not only in the field of semiconductor devices but also in ceramics, materials science, metallurgy, geology, and mineralogy, to name a few. These groups seldom have contact with each other even though they often investigate quite similar aspects of the Si02 system. Desiring to facilitate an interaction between these groups we set out to organize a symposium on the Physics and Chemistry of Si()z and the Si-Si()z Interface under the auspices of The Electrochemical Society, which represents a number of the appropriate groups. This symposium was held at the 173rd Meeting of The Electrochemical Society in Atlanta, Georgia, May 15-20, 1988. These dates nearly coincided with the ten year anniversary of the "International Topical Conference on the Physics of Si02 and its Interfaces" held at mM in 1978. We have modeled the present symposium after the 1978 conference as well as its follow on at North Carolina State in 1980. Of course, much progress has been made in that ten years and the symposium has given us the opportunity to take a multidisciplinary look at that progress.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xiii
Front Matter....Pages 1-3
Historical Perspectives of Silicon Oxidation....Pages 5-16
Oxidation of Silicon: Tests of Mechanisms....Pages 17-23
Silicon Oxidation Models Based on Parallel Mechanisms....Pages 25-34
The Role of SiO in Si Oxidation at a Si-SiO 2 Interface....Pages 35-42
Uncertainty Analysis of Analytic Oxidation Models....Pages 43-51
Modeling of the Oxide Growth in a Chlorine Ambient....Pages 53-59
Silicon Oxidation Studies: A Review of Recent Studies on Thin Film Silicon Dioxide Formation....Pages 61-74
Si Oxidation Mechanisms as Studied by Oxygen Tracer Methods....Pages 75-84
The Oxidation of Silicides on Silicon....Pages 85-94
Oxidation Kinetics of Si in Dry CO 2 ....Pages 95-102
A Novel Silicon Oxidation Method — HF Enhanced Oxidation....Pages 103-110
Thermal Oxidation of Silicon in an Afterglow Gas....Pages 111-117
Deposition of SiO 2 Thin Films by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (Remote PECVD)....Pages 119-127
Anodic SiO 2 for Low Temperature Gate Dielectrics....Pages 129-136
Front Matter....Pages 137-138
Local Atomic Structure of Thermally Grown SiO 2 Films....Pages 139-148
Structural Relaxation and Growth of SiO 2 Films on Si....Pages 149-157
Structural Relaxation Effects in Dry Thermal Silicon Dioxide Films on Silicon....Pages 159-167
Molecular Diffusion in a-SiO 2 : Its Role in Annealing Radiation-Induced Defect Centers....Pages 169-176
Current-Induced Charges and Hydrogen Species Distributions in MOS Silicon Dioxide Films....Pages 177-186
Front Matter....Pages 187-188
The Structure of the Si / SiO 2 Interface: A Review....Pages 189-198
Front Matter....Pages 187-188
The Stoichiometry and Structure of the Si/SiO 2 Interface: Ion Scattering Studies....Pages 199-200
Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy of Silicon Dangling Bond Defects....Pages 201-210
The Microstructure of SiO 2 -Si(100) Interfaces Investigated by XPS and HRTEM....Pages 211-218
Microscopic Structure Of The SiO 2 /Si Interface....Pages 219-225
ARXPS Analysis of Si-SiO 2 -Interfaces....Pages 227-233
Dependence of SiO 2 /Si Interface Structures on Oxidation Process....Pages 235-241
The Effect of Electrostatic Screening on Energy Positions of Spectra Near SiO 2 /Si Interfaces....Pages 243-250
A Physical Model for the Observed Dependence of the Metal-Semiconductor Work Function Difference on Substrate Orientation....Pages 251-258
Theoretical Calculations of the Electronic Structure in the Si-SiO 2 Systems....Pages 259-269
Theory of Defects in the MOS System....Pages 271-283
Front Matter....Pages 285-285
Nature of Radiation-Induced Point Defects in Amorphous SiO 2 and their Role in SiO 2 -ON-Si Structures....Pages 287-297
Chemical and Structural Features of Inherent and Process-Induced Defects in Oxidized Silicon....Pages 299-308
Chemical Kinetics of Hydrogen and P b Centers....Pages 309-318
Electronic and Optical Properties of Silicon Dangling-Bond Defects at the Si-Sio 2 Interface....Pages 319-326
Transient Spectroscopy on Individual Interface Traps in Mosfets....Pages 327-333
Observation of “1/f-Noise States” in Conductance Measurements on Mos Structures....Pages 335-340
The Gate-Voltage Dependence of Trapping Into Individual Si:SiO 2 Interface States....Pages 341-347
Step Heights of Switching Effects of Single Interface Traps in Mosfets....Pages 349-356
Low Temperature Conductance of Si-MOS Devices after Hot Carrier Degradation....Pages 357-364
The Neutral Level of Si-SO 2 Interface States....Pages 365-371
Front Matter....Pages 285-285
Mos Tunneling Rate and Interface State Capture Cross-Section....Pages 373-380
Defect Transformation Process at SiO 2 /Si Interfaces....Pages 381-388
Front Matter....Pages 389-389
Preoxidation Surface Treatments in Thermal Oxidation of Silicon....Pages 391-400
The Si-SiO 2 Interface Roughness: Causes and Effects....Pages 401-411
Defects and Impurities in SiO 2 Interface for Oxides Prepared Using Superclean Methods....Pages 413-419
The Effect of Chemical Cleaning on the Kinetics of Thermal Oxidation....Pages 421-428
Studies of Anhydrous HF Preoxidation Treatment of Silicon Surfaces....Pages 429-436
The Influence of the Si-Substrate Characteristics on the Quality of Poly-Si and Al Gated Mos Oxides....Pages 437-444
Dielectric Breakdown of SiO 2 Grown on Rough Si Surfaces....Pages 445-452
Effects of Deionized Water Rinses on Gate Oxide Leakage Currents....Pages 453-457
Oxidation-Induced Defects and Effects in Silicon During Low Thermal-Budget Processing....Pages 459-468
Implications of Oxidation Models on the Point Defect Behavior in the Silicon Substrate....Pages 469-476
Interstitial Fluxes During Silicon Oxidation....Pages 477-484
Front Matter....Pages 485-486
Charge Trapping in SiO 2 ....Pages 487-496
Historical Perspective on Tunneling in SiO 2 ....Pages 497-507
Hot Electron Transport in Silicon Dioxide....Pages 509-518
Ion Implantation and Ionizing Radiation Effects in Thermal Oxides....Pages 519-527
Interface and Bulk Trapping Centers in Low Temperature Ion-Beam Sputtered Silicon Dioxide Films....Pages 529-536
Interface Improvement by Hot Carrier Degradation — Forming Gas Annealing Cycle....Pages 537-543
Effects if X Irradiation and High Field Electron Injection on the Properties of Rapid Thermal Oxides....Pages 545-552
Back Matter....Pages 553-556




نظرات کاربران