The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes

zero-dimensional resonant tunnelling......Page 
Preface page xiii 13......Page 0013
1.1 Overview and background 1......Page 0015
1.2 References 6......Page 0020
2.1 Resonant tunnelling in double-barrier heterostructures 9......Page 0023
2.2.1 Transfer matrix theory of transmission probability 15......Page 0029
2.2.2 Self-consistent calculations - introduction of space charge 20......Page 0034
2.2.3 Transfer Hamiltonian model 27......Page 0041
phase shift, 30......Page 0044
2.4 Quantised emitter states and 2D-2D resonant tunnelling 34......Page 0048
2.5 Resonant tunnelling in double-well heterostructures 38......Page 0052
2.6 Phase-coherence breaking scattering and sequential 44......Page 0058
2.7 References 50......Page 0064
3 Scattering-assisted resonant tunnelling      52......Page 0066
3.1.1 Phonon-assisted tunnelling and postresonance peak 53......Page 0067
3.1.2 Theoretical investigations of phonon-assisted tunnelling 55......Page 0069
3.1.3 Magnetotunnelling measurements in the valley-current 61......Page 0075
--- tunnelling, 66......Page 0080
X-band profile, 67......Page 0081
X-valley tunnelling, 72......Page 0086
impurity scattering, 77-85......Page 0091
--- 85......Page 0099
non-equilibrium electron distribution, 88......Page 0102
4.2 Theory of dissipative quantum transport in RTDs 93......Page 0107
Weyl transform, 94......Page 0108
Femtosecond electron dynamics, 100......Page 0114
external series resistance, 113......Page 0127
magnetoconductance measurement, 117,......Page 0131
PL line width, 124......Page 0138
filling of the Landau level, 127......Page 0141
--- 129......Page 0143
5 High-speed and functional applications of resonant      133......Page 0147
small-signal-equivalent circuit, 134......Page 0148
frequency tripler, 141......Page 0155
triggering frequency, 145......Page 0159
RTD static memory, 146......Page 0160
non-volatile memory, 156......Page 0170
tri-stable operation, 172......Page 0186
5.3 References 175......Page 0189
6 Resonant tunnelling in low-dimensional double-barrier      178......Page 0192
--- structure, 179......Page 0193
--- 185......Page 0199
total tunnelling current, 191......Page 0205
--- (VARTD), 207-14......Page 0221
effective device diameter, 214......Page 0228
--- 219......Page 0233
one-dimensional (ID) VARTD, 224......Page 0238
surface potential, 230......Page 0244
6.6 References 233......Page 0247
--- 236......Page 0250
accumulation layer, 121......Page 0135
polar-optical phonon, 48......Page 0062
thermal broadening, 222......Page 0236
GaAs-like interface LO mode, 56......Page 0070
multi-bit parity-bit generator, 173......Page 0187
117......Page 131
122......Page 136
125......Page 139
231......Page 245
222......Page 236
239......Page 253
background impurity, 83......Page 0097
saturation velocity, 138......Page 0152
Thomas-Fermi approximation, 22......Page 0036
large signal analysis, 142......Page 0156
stable operation point, 152......Page 166
156......Page 170
saturation current, 152......Page 0166
electron velocity, 20......Page 34
29......Page 43
sheet concentration, 30......Page 44
46......Page 60
82......Page 96
cascade RTD-memory, 153......Page 0167
108......Page 122
115......Page 129
129......Page 143
time-dependent Hartree potential, 98......Page 0112
60......Page 74
79......Page 93
81......Page 95
84......Page 98
194......Page 208
probability flux, 16......Page 30
lateral-mode number, 187......Page 201
Miller's rule, 18......Page 0032
Schottky diode multiplier 140......Page 0154
Schottky-gated squeezable 0D RTD, 231......Page 0245
two-electron state, 232......Page 0246
tunnelling Hamiltonian, 28......Page 0042
113......Page 127
--- 127......Page 141
current threshold, 25......Page 39
172......Page 186
217......Page 231
219......Page 233
Landau subband, 63......Page 77
119......Page 133
134......Page 148
137......Page 151
RTD static memory IC, 149......Page 0163
192......Page 206
208......Page 222
230......Page 244
off-diagonal tunnelling, 193......Page 207
198......Page 212
impedance, 135......Page 149
high-speed switching circuit, 142......Page 156
163......Page 177
164......Page 178
169......Page 183
38......Page 52
41......Page 55
83......Page 97
injection conductance, 137......Page 0151
93......Page 107
223......Page 237
--- 227......Page 0241
quasi-Fermi level, 11......Page 25
transmission probability, 15......Page 29
67......Page 81
73......Page 87
single ionised donor potential, 186......Page 200
191......Page 205
voltage swing, 144......Page 0158
spacer layer, 22......Page 36
39......Page 53
89......Page 103
--- 100......Page 114
118......Page 132
self-consistent Hartree potential, 21......Page 35
electron supply function, 14......Page 0028
31......Page 45
quantum repulsion, 95......Page 0109
reduced transfer matrix, 190......Page 0204
extrinsic instability, 116......Page 0130
second-order diagonal tunnelling, 198......Page 0212
Fermi distribution function, 14......Page 28
lateral wavevector, 11......Page 0025
inverter circuit, 151......Page 0165
58......Page 72
Fowler-Nordheim formula, 73......Page 0087
transverse X-band quasi-bound state, 75......Page 0089
free electron broadening, 126......Page 0140
thermal coherence length, 97......Page 0111
Frohlich coupling constant, 56......Page 70
static random access memory, 133......Page 147
145......Page 159
--- probability, 69......Page 0083
141......Page 155
--- (2D-2D) RT, 36......Page 50
Poisson equation, 21......Page 0035
high-frequency performance, 136-41......Page 0150
183......Page 197
scattering induced focusing effect, 82......Page 0096
InAs/AlSb RTD, 138......Page 152
144......Page 158
195......Page 209
207......Page 221
two-dimensional (2D) state, 66......Page 80
72......Page 86
maximum frequency of oscillation, 135......Page 0149
InGaAs/InAlAs double-well RTD, 41......Page 0055
InGaAs/InAlAs heterosystem, 40......Page 0054
77......Page 91
smaller-area VARTD, 211......Page 0225
188......Page 202
lateral quantisation, 182......Page 196
211......Page 225
satellite peak, 53......Page 67
transverse X-valley mass, 75......Page 89
phase-coherence breaking, 26......Page 40
52......Page 66
61......Page 75
load line, 143......Page 157
146......Page 160
147......Page 161
150......Page 164
153......Page 167
local Fermi energy, 12......Page 26
69......Page 83
magnetocapacitance, 122......Page 0136
magnetocurrent characteristics, 119......Page 0133
magnetotunnelling measurement, 63......Page 0077
three-dimensional (3D) delta function, 223......Page 0237
Material 1......Page 15
tunnelling current density, 13......Page 27
Material 2......Page 16
Material 3......Page 17
memory cell, 148-54......Page 0162
mode mixing coefficient, 187......Page 0201
44......Page 58
48......Page 62
multi-mode transfer matrix, 189......Page 0203
--- 193......Page 0207
triple-well RTD, 40......Page 54
161......Page 175
173......Page 187
wave packet, 31......Page 0045
multiple RTD, 158......Page 0172
non-localised 3D state, 218......Page 0232
non-self-consistent calculation, 24......Page 0038
--- 183......Page 0197
quasi-bound state, 10......Page 24
112......Page 126
126......Page 140
one-dimensional RTD (ID RTD), 182,......Page 0196
output node, 148......Page 162
RTD oscillator, 136......Page 150
output resistance, 150......Page 0164
35......Page 49
110......Page 124
parity of lateral wavefunction, 197......Page 0211
158......Page 172
--- 168......Page 182
218......Page 232
104......Page 118
111......Page 125
resistive load, 149......Page 163
99......Page 113
PL decay time, 32......Page 0046
uniform confinement, 199......Page 213
pinning of confinement potential, 229......Page 0243
101......Page 115
position-space representation, 98......Page 112
transfer gate, 151......Page 165
174......Page 188
34......Page 48
179......Page 193
70......Page 84
95......Page 109
184......Page 198
relaxation-time approximation, 99......Page 0113
92......Page 106
204......Page 218
--- process, 26......Page 0040
replica peak, 54......Page 0068
resonant state, 10......Page 0024
rise time, 143......Page 0157
139......Page 153
scattering angle, 81......Page 0095
scattering boundary condition, 17......Page 31
190......Page 204
scattering broadening, 46......Page 0060
105......Page 119
switching behaviour, 108......Page 0122
24......Page 38
sequential tunnelling model, 45......Page 0059
single-barrier structure, 19......Page 33
71......Page 85
88......Page 102
--- 155......Page 169
surface deep level, 192......Page 0206
stacked double-barrier structure, 159......Page 0173
85......Page 99
surface-gated VARTD, 213......Page 227
221......Page 235
symmetric confinement potential, 208......Page 0222
three-dimensional (3D) quantisation, 215,......Page 0229
--- Schrodinger equation, 186......Page 0200
--- (3D-2D) RT, 89......Page 0103
154......Page 168
transfer Hamiltonian formula, 27......Page 41
55......Page 69
Wigner distribution function, 94......Page 108
transient current density, 105......Page 0119
--- barrier, 19......Page 0033
triple-valued logic operation, 161......Page 0175
Tsu-Esaki formula, 13......Page 0027
tunnelling matrix element, 29......Page 0043
turn-on voltage, 217......Page 0231
two-dimensional electron gas (2D EG), 36......Page 0050
201......Page 215
valley-to-peak switching, 110......Page 0124
velocity overshoot, 139......Page 0153
106......Page 120
--- diode (0D RTD), 180......Page 194
Переход к каталогу библиотеки - файлу Catalog_Library.djvu......Page Catalog_Library.djvu