دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: 1 نویسندگان: Morten Willatzen. Lok C. Lew Yan Voon (auth.) سری: ISBN (شابک) : 3540928715 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2009 تعداد صفحات: 450 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب روش k p: خصوصیات الکترونیکی نیمه هادی ها: نانوتکنولوژی، شیمی فیزیک، فیزیک حالت جامد و طیفسنجی
در صورت تبدیل فایل کتاب The k p Method: Electronic Properties of Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب روش k p: خصوصیات الکترونیکی نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب شرح مفصلی از فرمالیسم و کاربرد نظریه k.p برای نیمه هادی های حجیم و نانوساختار ارائه می دهد. برای کریستال های حجیم، این اولین بار است که تمام تکنیک های اصلی برای استخراج محبوب ترین هامیلتونی ها در یک مکان ارائه شده است. برای نانوساختارها، این اولین باری است که نظریه برت-فورمن در دسترس قرار گرفته است. بنابراین، خواننده درک روشنی از روش k.p به دست میآورد، فهرستی صریح از همیلتونیهای مختلف در یک نماد ثابت برای استفاده از آنها و مجموعهای از نتایج نماینده خواهد داشت. علاوه بر این، خواننده می تواند درک بسیار خوبی از ساختار الکترونیکی نیمه هادی ها به دست آورد.
This book presents a detailed exposition of the formalism and application of k.p theory for both bulk and nanostructured semiconductors. For bulk crystals, this is the first time all the major techniques for deriving the most popular Hamiltonians have been provided in one place. For nanostructures, this is the first time the Burt-Foreman theory has been made accessible. Thus, the reader will gain a clear understanding of the k.p method, will have an explicit listing of the various Hamiltonians in a consistent notation for their use, and a set of representative results. In addition, the reader can derive an excellent understanding of the electronic structure of semiconductors.
Front Matter....Pages i-xvii
Introduction....Pages 1-3
Front Matter....Pages 5-5
One-Band Model....Pages 7-15
Perturbation Theory—Valence Band....Pages 17-54
Perturbation Theory – Kane Models....Pages 55-77
Method of Invariants....Pages 79-151
Spin Splitting....Pages 153-166
Strain....Pages 167-186
Front Matter....Pages 187-187
Shallow Impurity States....Pages 189-219
Magnetic Effects....Pages 221-244
Electric Field....Pages 245-255
Excitons....Pages 257-271
Heterostructures: Basic Formalism....Pages 273-362
Heterostructures: Further Topics....Pages 363-389
Conclusion....Pages 391-392
Back Matter....Pages 1-52