ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Switching in Semiconductor Diodes

دانلود کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی

Switching in Semiconductor Diodes

مشخصات کتاب

Switching in Semiconductor Diodes

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Monographs in Semiconductor Physics 
ISBN (شابک) : 9781489961723, 9781489963437 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1969 
تعداد صفحات: 248 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 36,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی: فیزیک کاربردی و فنی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Switching in Semiconductor Diodes به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی

برای من بسیار خوشحالم که بدانم این کتاب، که منشأ آن تا حد زیادی مدیون کار دانشمندان و مهندسان آمریکایی در زمینه فناوری نیمه هادی است، به دست خوانندگان آمریکایی و دیگر انگلیسی زبان خواهد رسید. من از انتشارات پلنوم برای تنظیم نسخه آمریکایی این کتاب و از آقای آلبین تیبولویچ برای ترجمه او، 5 سپتامبر 1968، سپاسگزارم. R. Nosov v مقدمه نسخه روسی یکی از مهمترین کاربردهای دیودهای نیمه هادی استفاده از آنها در مدارهای پالس الکترونیکی است. پاسخ این دیودها در شرایط سوئیچینگ تحت تأثیر پدیده انباشتگی و پراکندگی حامل های غیر تعادلی است که در سایر دستگاه های اتصال p-n نیز مشاهده می شود. در اواخر دهه 1940 مشخص شد که وقتی از دیودهای ژرمانیوم تماس نقطه‌ای در مدارهایی استفاده می‌شد که از طریق آن پالس‌های الکتریکی کوتاه (چند دهم میکروثانیه) عبور می‌کردند، مقاومت معکوس مؤثر 1 این دیودها به میزان قابل‌توجهی کمتر از مقدار استاتیکی کاهش یافت. مطالعات بیشتر نشان داد که وقتی یک دیود به سرعت از جهت جلو به جهت معکوس تغییر می کند، یک جریان معکوس غیرعادی بزرگ برای مدتی جریان می یابد. با توجه به اهمیت این پدیده در تلاش برای کاهش زمان پاسخ مدارهای پالس، بررسی های زیادی در مورد این پدیده انجام شد و این بررسی ها مبنای تئوری فرآیندهای گذرا در دیودهای نیمه هادی را فراهم کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

It gives me great pleasure to learn that this book, whose ori gin owes much to the work of American scientists and engineers on semiconductor technology, will reach American and other English speaking readers. I am grateful to Plenum Publishing Corporation for arranging the American edition of this book and to Mr. Albin Tybulewicz for his translation, September 5, 1968 Yu. R. Nosov v Preface to the Russian Edition One of the most important applications of semiconductor diodes is their use in electronic pulse circuits. The response of these diodes under switching conditions is governed by the phenomena of accumulation and dispersal of non equlibrium carriers, which are also observed in other p-n junction devices. It was found in the late 1940's that when point-contact ger manium diodes were used in circuits through which short (several tenths of a microsecond) electrical pulses were being passed, the 1 effective reverse resistance of these diodes decreased considerably below the static value. Further studies showed that when a diode was switched rapidly from the forward to the reverse direction, an anomalously large reverse current flowed for some time. In view of the importance of this phenomenon in the efforts to reduce the response time of pulse circuits, many investigations of the phenomenon were carried out and these investigations pro vided the basis of a theory of transient processes in semiconductor diodes.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xvi
Basic Electronics of the Switching Processes in Semiconductor p-n Junctions....Pages 1-24
Switching in a Planar Diode....Pages 25-95
Planar Diode with a Thin Base....Pages 96-129
Transient Processes in a Diode with a Small-Area Rectifying Contact....Pages 130-159
Effect of an Electric Field in a Diode Base on Transient Processes....Pages 160-178
Transient Processes in Diodes During the Passage of a Forward Current Pulse....Pages 179-196
Transient Processes in Semiconductor Diodes and Fundamentals of Recombination Theory....Pages 197-225
Back Matter....Pages 226-233




نظرات کاربران