دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Yurii R. Nosov (auth.)
سری: Monographs in Semiconductor Physics
ISBN (شابک) : 9781489961723, 9781489963437
ناشر: Springer US
سال نشر: 1969
تعداد صفحات: 248
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 7 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی: فیزیک کاربردی و فنی
در صورت تبدیل فایل کتاب Switching in Semiconductor Diodes به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تغییر در دیودهای نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
برای من بسیار خوشحالم که بدانم این کتاب، که منشأ آن تا حد زیادی مدیون کار دانشمندان و مهندسان آمریکایی در زمینه فناوری نیمه هادی است، به دست خوانندگان آمریکایی و دیگر انگلیسی زبان خواهد رسید. من از انتشارات پلنوم برای تنظیم نسخه آمریکایی این کتاب و از آقای آلبین تیبولویچ برای ترجمه او، 5 سپتامبر 1968، سپاسگزارم. R. Nosov v مقدمه نسخه روسی یکی از مهمترین کاربردهای دیودهای نیمه هادی استفاده از آنها در مدارهای پالس الکترونیکی است. پاسخ این دیودها در شرایط سوئیچینگ تحت تأثیر پدیده انباشتگی و پراکندگی حامل های غیر تعادلی است که در سایر دستگاه های اتصال p-n نیز مشاهده می شود. در اواخر دهه 1940 مشخص شد که وقتی از دیودهای ژرمانیوم تماس نقطهای در مدارهایی استفاده میشد که از طریق آن پالسهای الکتریکی کوتاه (چند دهم میکروثانیه) عبور میکردند، مقاومت معکوس مؤثر 1 این دیودها به میزان قابلتوجهی کمتر از مقدار استاتیکی کاهش یافت. مطالعات بیشتر نشان داد که وقتی یک دیود به سرعت از جهت جلو به جهت معکوس تغییر می کند، یک جریان معکوس غیرعادی بزرگ برای مدتی جریان می یابد. با توجه به اهمیت این پدیده در تلاش برای کاهش زمان پاسخ مدارهای پالس، بررسی های زیادی در مورد این پدیده انجام شد و این بررسی ها مبنای تئوری فرآیندهای گذرا در دیودهای نیمه هادی را فراهم کرد.
It gives me great pleasure to learn that this book, whose ori gin owes much to the work of American scientists and engineers on semiconductor technology, will reach American and other English speaking readers. I am grateful to Plenum Publishing Corporation for arranging the American edition of this book and to Mr. Albin Tybulewicz for his translation, September 5, 1968 Yu. R. Nosov v Preface to the Russian Edition One of the most important applications of semiconductor diodes is their use in electronic pulse circuits. The response of these diodes under switching conditions is governed by the phenomena of accumulation and dispersal of non equlibrium carriers, which are also observed in other p-n junction devices. It was found in the late 1940's that when point-contact ger manium diodes were used in circuits through which short (several tenths of a microsecond) electrical pulses were being passed, the 1 effective reverse resistance of these diodes decreased considerably below the static value. Further studies showed that when a diode was switched rapidly from the forward to the reverse direction, an anomalously large reverse current flowed for some time. In view of the importance of this phenomenon in the efforts to reduce the response time of pulse circuits, many investigations of the phenomenon were carried out and these investigations pro vided the basis of a theory of transient processes in semiconductor diodes.
Front Matter....Pages i-xvi
Basic Electronics of the Switching Processes in Semiconductor p-n Junctions....Pages 1-24
Switching in a Planar Diode....Pages 25-95
Planar Diode with a Thin Base....Pages 96-129
Transient Processes in a Diode with a Small-Area Rectifying Contact....Pages 130-159
Effect of an Electric Field in a Diode Base on Transient Processes....Pages 160-178
Transient Processes in Diodes During the Passage of a Forward Current Pulse....Pages 179-196
Transient Processes in Semiconductor Diodes and Fundamentals of Recombination Theory....Pages 197-225
Back Matter....Pages 226-233