ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications

دانلود کتاب تنش و کرنش در اپیتاکسی: مفاهیم نظری، اندازه‌گیری‌ها و کاربردها

Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications

مشخصات کتاب

Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications

دسته بندی: ریاضیات کاربردی
ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 0444508651, 9780080541860 
ناشر:  
سال نشر: 2001 
تعداد صفحات: 333 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تنش و کرنش در اپیتاکسی: مفاهیم نظری، اندازه‌گیری‌ها و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تنش و کرنش در اپیتاکسی: مفاهیم نظری، اندازه‌گیری‌ها و کاربردها

این کتاب شامل سخنرانی های کلیدی است که در سومین مدرسه Porquerolles در علوم سطح، SIR2000 (سطوح-واسط ها-آرامش) ارائه شده است. هدف این مکتب بررسی مفاهیم اصلی لازم برای درک نقش تنش سطحی، کرنش و آرامش در رشد کریستال توسط هترواپیتاکسی بود. با گرد هم آوردن دانشمندان رشته‌های مختلف (فیزیک، شیمی، علم مواد و مهندسی) که روزانه از رویکردهای روش‌شناختی مکمل (آزمایش، تئوری، مدل‌سازی) استفاده می‌کنند، مدرسه اجازه ارائه 11 دوره چند رشته‌ای را داد. این کتاب به وضعیت هنر تنش در مواد همپایی می‌پردازد، روش‌های مختلف اندازه‌گیری جابجایی اتمی و میدان‌های تنش را توصیف می‌کند، روش‌های طیف‌سنجی لازم برای نقشه‌برداری از شیمی رابط را بررسی می‌کند، روش‌های نظری و مفاهیم مورد نیاز را به تفصیل شرح می‌دهد. آن‌ها را پیش‌بینی می‌کند و این واقعیت را زیر سوال می‌برد که تنش و آرامش می‌توانند خواص خاصی را در مغناطیس، کاتالیز، انتقال الکترون و غیره ایجاد کنند. زمینه تنش و کرنش در هترواپیتاکسی پیشرفت‌های بزرگی در طول ده سال گذشته داشته است. تکنیک‌های جدیدی برای راه‌اندازی دستگاه‌های جدیدی استفاده شده است که در آن عملکردها از طریق ساختار در مقیاس نانومتری به دست می‌آیند. یکپارچگی در مقیاس بزرگ و ابعاد کاهش یافته عوامل کلیدی برای بهینه سازی دستاوردهای این دستگاه ها هستند. این دستگاه‌ها که قبلاً در صنعت (چاه‌های کوانتومی، حسگرهای مغناطیسی) استفاده می‌شدند، با اپیتاکسی پرتو مولکولی، کندوپاش یا رسوب لیزر پالسی به دست می‌آیند. ابعاد کاهش یافته آنها تعداد سطوح و رابط ها را افزایش داد که نقش آنها باید دقیق شود. اکنون آزمایش‌گران سعی می‌کنند موادی را با ساختار کریستالی و ترکیب شیمیایی بسیار متفاوت مرتبط کنند. تنش الاستیک ذخیره شده در دستگاه می تواند پدیده های مختلفی را القا کند که باید ارزیابی، درک و پیش بینی شوند. این کتاب همچنین قصد دارد نشان دهد که بسیاری از سؤالات هنوز در حال بحث هستند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book contains keynote lectures which have been delivered at the 3rd Porquerolles' School on Surface Science, SIR2000 (Surfaces-Interfaces-Relaxation). The aim of this school was to review the main concepts necessary to understand the role of interfacial stress, strain and relaxation in crystal growth by heteroepitaxy. By bringing together scientists from various fields (physics, chemistry, materials science and engineering) which daily use complementary methodological approaches (experiment, theory, modelization), the school allowed to offer 11 multidisciplinary courses. This book addresses the state of art of stress in epitaxial materials, it describes the various methods to measure the atomic displacement and stress fields, it reviews the spectroscopic methods necessary to map the interface chemistry, it details the theoretical methods and concepts which are needed to predict them and it questions the fact that stress and relaxation can induce specific properties in magnetism, catalysis, electron transport and so on.The field of stress and strain in heteroepitaxy has know large developments during the last ten years. New techniques have been used to set up new devices in which functionalities are obtained through structuration at a nanometer scale. Large-scale integration and reduced dimensions are the key factors to optimize the achievements of these devices. Already used in industry (quantum wells, magnetic sensors), these devices are obtained by molecular beam epitaxy, sputtering or pulsed laser deposition. Their reduced dimensionality increased the number of surfaces and interfaces, the role of which has to be precised. Experimentalists try now to associate materials having very different crystal structure and chemical composition. The elastic stress stored in the device can induce various phenomena which have to be evaluated, understood and predicted. The book intends also to show that many questions are still in debate.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی