مشخصات کتاب

Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices

ویرایش: 1 
نویسندگان: Chinmay K. Maiti  
سری:  
ISBN (شابک) : 0367519291, 9780367519292 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2021 
تعداد صفحات: 275 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 38 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مهندسی تنش و کرنش در مقیاس نانو در دستگاه های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مهندسی تنش و کرنش در مقیاس نانو در دستگاه های نیمه هادی

با پیش‌بینی محدودیتی برای کوچک‌سازی مداوم (More-Moore)، تلاش‌های تحقیقاتی شدیدی برای ادغام قابلیت‌های مختلف (بیش از مور) در یک تراشه واحد در حال انجام است. در حال حاضر، مهندسی کرنش تکنیک اصلی مورد استفاده برای افزایش عملکرد دستگاه های نیمه هادی پیشرفته است. این کتاب که از دیدگاه کاربردهای مهندسی نوشته شده است، حوزه های وسیعی از دستگاه های نیمه هادی را در بر می گیرد که شامل طراحی، شبیه سازی و تجزیه و تحلیل Si، سیلیکونژرمانیوم ناهمسان (SiGe) و دستگاه های نیمه هادی مرکب III-N است. این کتاب زمینه و بینش فیزیکی مورد نیاز برای درک پیشرفت‌های جدید و آینده در طراحی فناوری CAD (TCAD) در مقیاس نانو را فراهم می‌کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Anticipating a limit to the continuous miniaturization (More-Moore), intense research efforts are being made to co-integrate various functionalities (More-than-Moore) in a single chip. Currently, strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced semiconductor devices. Written from an engineering applications standpoint, this book encompasses broad areas of semiconductor devices involving the design, simulation, and analysis of Si, heterostructure silicongermanium (SiGe), and III-N compound semiconductor devices. The book provides the background and physical insight needed to understand the new and future developments in the technology CAD (TCAD) design at the nanoscale.

فهرست مطالب

Dedication
Contents
Preface
Author Biography
1 Introduction
2 Simulation Environment
3 Stress Generation Techniques in CMOS Technology
4 Electronic Properties of Engineered Substrates
5 Bulk-Si FinFETs
6 Strain-Engineered FinFETs at NanoScale
7 Technology CAD of III-Nitride Based Devices
8 Strain-Engineered SiGe Channel TFTs for Flexible Electronics
Index

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Approaches to ethnography : analysis and representation in participant observation

دانلود کتاب Insect pests of stored grain : biology, behavior, and management strategies

دانلود کتاب Le Chinois sans peine, tome 1

دانلود کتاب Spain and the Mediterranean: Developing a European Policy towards the South

دانلود کتاب Underdressed