ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering)

دانلود کتاب دستگاه های اثر میدان مغناطیسی Strained-Si (علوم و مهندسی مواد)

Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering)

مشخصات کتاب

Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering)

دسته بندی: فن آوری
ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 0750309938, 9781420012347 
ناشر:  
سال نشر: 2007 
تعداد صفحات: 438 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های اثر میدان مغناطیسی Strained-Si (علوم و مهندسی مواد) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های اثر میدان مغناطیسی Strained-Si (علوم و مهندسی مواد)

ترکیبی از علم مواد، فرآیندهای تولید، و تحقیقات و توسعه‌های پیشگام SiGe و Strained-Si سطح بی‌سابقه‌ای از بهبود عملکرد را با هزینه‌های تولید پایین ارائه کرده‌اند. دستگاه‌های اثر میدان ناهم‌ساختار Strained-Si که همه این حوزه‌ها را در بر می‌گیرد، به نیازهای تحقیقاتی مرتبط با جنبه‌های جلویی گسترش فناوری CMOS از طریق مهندسی کرنش می‌پردازد. این کتاب مبنایی را برای مقایسه فن‌آوری‌های موجود با جهت‌های فناوری آینده CMOS ناهم‌ساختار سیلیکونی فراهم می‌کند. پس از مقدمه‌ای بر مواد، فصل‌های بعدی بر میکروالکترونیک، بسترهای مهندسی، ماسفت‌ها و هترو-FET‌ها تمرکز دارند. هر فصل یافته‌های تحقیقات اخیر، دستگاه‌ها و مدارهای صنعتی، جداول و شکل‌های متعدد، مراجع مهم و در صورت لزوم شبیه‌سازی‌های کامپیوتری را ارائه می‌کند. موضوعات پوشش داده شده عبارتند از: کاربرد فیلم های SiGe-Si در فن آوری CMOS مبتنی بر SiGe، خواص الکترونیکی فیلم های دو محوره-strained-Si، و پیشرفت های تشکیل دی الکتریک گیت بر روی لایه های هترولوی کرنش شده-Si/SiGe. این کتاب همچنین هترو-FET های سیلیکونی را در سیستم های مواد SiGe و SiGeC، بهبود عملکرد ماسفت، و شبیه سازی استرس ناشی از فرآیند در ماسفت ها توصیف می کند. و نتایج ارائه شده در این کتاب بدون شک باعث پیشرفت بیشتر در این زمینه خواهد شد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

A combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices addresses the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS technology via strain engineering. The book provides the basis to compare existing technologies with the future technological directions of silicon heterostructure CMOS.After an introduction to the material, subsequent chapters focus on microelectronics, engineered substrates, MOSFETs, and hetero-FETs. Each chapter presents recent research findings, industrial devices and circuits, numerous tables and figures, important references, and, where applicable, computer simulations. Topics covered include applications of strained-Si films in SiGe-based CMOS technology, electronic properties of biaxial strained-Si films, and the developments of the gate dielectric formation on strained-Si/SiGe heterolayers. The book also describes silicon hetero-FETs in SiGe and SiGeC material systems, MOSFET performance enhancement, and process-induced stress simulation in MOSFETs.From substrate materials and electronic properties to strained-Si/SiGe process technology and devices, the diversity of R&D activities and results presented in this book will no doubt spark further development in the field.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی