دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: کامپیوتر ویرایش: 1st نویسندگان: Christopher Michael. Mohammed Ismail سری: The Springer International Series in Engineering and Computer Science ISBN (شابک) : 079239299X, 9780792392996 ناشر: Springer سال نشر: 1993 تعداد صفحات: 200 زبان: English فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 2 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدلسازی آماری برای طراحی به کمک کامپیوتر مدارهای MOS VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
از آنجایی که دستگاههای MOS برای برآورده کردن مشخصات مدار که به طور فزایندهای نیاز دارند، مقیاسبندی میشوند، تغییرات فرآیند تأثیر بیشتری بر قابلیت اطمینان عملکرد مدار دارند. به همین دلیل، تکنیک های آماری برای طراحی مدارهای مجتمع با حداکثر بازده مورد نیاز است. مدلسازی آماری برای طراحی به کمک کامپیوتر مدارهای MOS VLSI یک محیط شبیهسازی و بهینهسازی مدار آماری را برای طراحان مدار VLSI توصیف میکند. اولین گام در جهت انجام طراحی و بهینه سازی مدارهای آماری، توسعه یک ابزار دقیق CAD است که قادر به انجام شبیه سازی آماری است. این ابزار باید مبتنی بر یک مدل آماری باشد که تأثیر دستگاه و ویژگیهای مدار، مانند اندازه دستگاه، بایاس، و طرح مداری را که تحت کنترل طراح مدار بر روی تغییرپذیری عملکرد مدار است، درک کند. ویژگی متمایز ابزار CAD که در این کتاب توضیح داده شده است، توانایی آن در مدلسازی و شبیهسازی دقیق اثر در تغییرپذیری فرآیند درون و درون دای در مدارهای آنالوگ/دیجیتال است، که اثرات دستگاه و ویژگیهای مدار فوقالذکر را در نظر میگیرد. مدل سازی آماری برای طراحی مدارهای MOS VLSI به کمک رایانه به عنوان یک مرجع عالی برای کسانی که در این زمینه کار می کنند عمل می کند، و ممکن است به عنوان متن یک دوره پیشرفته در این زمینه استفاده شود.
As MOS devices are scaled to meet increasingly demanding circuit specifications, process variations have a greater effect on the reliability of circuit performance. For this reason, statistical techniques are required to design integrated circuits with maximum yield. Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. The first step toward accomplishing statistical circuit design and optimization is the development of an accurate CAD tool capable of performing statistical simulation. This tool must be based on a statistical model which comprehends the effect of device and circuit characteristics, such as device size, bias, and circuit layout, which are under the control of the circuit designer on the variability of circuit performance. The distinctive feature of the CAD tool described in this book is its ability to accurately model and simulate the effect in both intra- and inter-die process variability on analog/digital circuits, accounting for the effects of the aforementioned device and circuit characteristics. Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits serves as an excellent reference for those working in the field, and may be used as the text for an advanced course on the subject.