دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Tohru Suzuki (auth.), Angelo Mascarenhas (eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781461351672, 9781461506317 ناشر: Springer US سال نشر: 2002 تعداد صفحات: 482 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 40 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب سفارش خود به خود در آلیاژهای نیمه هادی: فیزیک، عمومی، خصوصیات و ارزیابی مواد، مواد نوری و الکترونیکی، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ
در صورت تبدیل فایل کتاب Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سفارش خود به خود در آلیاژهای نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
پدیده نظم دهی خود به خود در آلیاژهای نیمه هادی، که می تواند به عنوان یک فرآیند خودسازمانده طبقه بندی شود، مشاهده می شود که به طور خود به خود در طول رشد همپایی برخی از نیمه هادی های آلیاژی سه تایی رخ می دهد و منجر به اصلاح خواص ساختاری، الکترونیکی و نوری آنها می شود. علاقه زیادی به یادگیری نحوه کنترل این غیر پدیده وجود دارد تا بتوان از آن برای تنظیم خواص الکترونیکی و نوری مطلوب استفاده کرد. حتی علاقه بیشتری به بهره برداری از این پدیده به دلیل توانایی منحصر به فرد آن در ارائه یک محیط آزمایشی از نوسانات آماری آلیاژ کنترل شده وجود داشته است. به این ترتیب، حوزههای علم و فناوری نیمهرساناهای مرتبط با علم مواد رشد همپایی، مکانیک آماری، و ساختار الکترونیکی آلیاژها و دستگاههای الکترونیکی و فوتونیکی را تحت تأثیر قرار میدهد. در طول دو دهه گذشته، پیشرفت های قابل توجهی در جهت درک مکانیسم های هدایت کننده این پدیده و تغییرات در خواص فیزیکی ناشی از آن صورت گرفته است. انواع تکنیکهای تجربی برای بررسی پدیده مورد استفاده قرار گرفتهاند و تلاشهای متعددی برای ارائه مدلهای نظری هم برای مکانیسمهای سفارشدهی و هم برای تغییرات ساختار الکترونیکی انجام شده است. فصول مختلف این کتاب شرح مفصلی از این تلاش ها در طول دهه گذشته ارائه می دهد. فصل اول شرح مفصلی از این پدیده را با چشم اندازی عالی از تغییرات ساختاری و الکترونیکی ارائه می دهد.
The phenomenonofspontaneous ordering in semiconductoralloys, which can be categorized as a self-organized process, is observed to occur sponta neously during epitaxial growth of certain ternary alloy semiconductors and results in a modification of their structural, electronic, and optical properties. There has been a great dealofinterest in learning how to control this phenome non so that it may be used for tailoring desirable electronic and optical properties. There has been even greater interest in exploiting the phenomenon for its unique ability in providing an experimental environment of controlled alloy statistical fluctuations. As such, itimpacts areasofsemiconductorscience and technology related to the materials science ofepitaxial growth, statistical mechanics, and electronic structure of alloys and electronic and photonic devices. During the past two decades, significant progress has been made toward understanding the mechanisms that drive this phenomenon and the changes in physical properties that result from it. A variety of experimental techniques have been used to probe the phenomenon and several attempts made atproviding theoretical models both for the ordering mechanisms as well as electronic structure changes. The various chapters of this book provide a detailed account of these efforts during the past decade. The first chapter provides an elaborate account of the phenomenon, with an excellent perspective of the structural and elec tronic modifications itinduces.
Front Matter....Pages i-xix
Basic Aspects of Atomic Ordering in III–V Semiconductor Alloys....Pages 1-43
The Nature and Origin of Atomic Ordering in Group III-V Antimonide Semiconductor Alloys....Pages 45-97
Effects of the Surface on CuPt Ordering During OMVPE Growth....Pages 99-117
X-Ray Diffraction Analysis of Ordering in Epitaxial III–V Alloys....Pages 119-146
Surface Morphology and Formation of Antiphase Boundaries in Ordered (GaIn)P — A TEM Study....Pages 147-163
X-Ray Characterization of CuPt Ordered III–V Ternary Alloys....Pages 165-193
Diffraction and Imaging of Ordered Semiconductors....Pages 195-233
X-Ray Analysis of the Short-Range Order in the Ordered-Alloy Domains of Epitaxial (Ga,In) P Layers by DAFS of Superlattice Reflections....Pages 235-256
Ballistic Electron Emission Microscopy and Spectroscopy Study of Ordering-Induced Band Structure Effects in Ga 0.52 In 0.48 P....Pages 257-271
Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy as a Probe of Local Order in Semiconductor Alloys....Pages 273-282
The Physics of Tunable Disorder in Semiconductor Alloys....Pages 283-326
Spectroscopic Study of the Interface and Band Alignment at the GaInP(Partially Ordered)/GaAs Heterojunction under High Pressure and High Magnetic Field....Pages 327-364
Polarization Effects in the (Electro)absorption of Ordered GaInP and their Device Applications....Pages 365-389
Phonons in Ordered Semiconductor Alloys....Pages 391-422
Effects of Ordering on Physical Properties of Semiconductor Alloys....Pages 423-450
Polarization Charges at Spontaneously Ordered (In,Ga)P/GaAs Interfaces....Pages 451-468
Back Matter....Pages 469-474