دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Eric R. Hedin, Yong S. Joe سری: ISBN (شابک) : 9789814411707, 9789814411691 ناشر: Pan Stanford Publishing,CRC Press سال نشر: 2013 تعداد صفحات: 213 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Spintronics in Nanoscale Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Spintronics در دستگاه های نانومقیاس نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
با بهرهبرداری از ویژگیهای جدید نقاط کوانتومی و حلقههای آهارونوف-بوم در مقیاس نانو همراه با خواص الکترونیکی و مغناطیسی مواد نیمهرسانای مختلف و گرافن، محققان مطالعات مدلسازی نظری و محاسباتی متعدد و آزمایشهای تجربی انجام دادهاند که رفتار امیدوارکنندهای را برای کاربردهای اسپینترونیک نشان میدهد. . پلاریزاسیون اسپین و قابلیتهای فیلتر اسپین و توانایی دستکاری حالت اسپین الکترون از طریق میدانهای مغناطیسی یا الکتریکی خارجی، نوید ابزارهای نانومقیاس کارآمد را برای کاربردهای محاسباتی و حافظه نشان داده است. این کتاب به محققانی که این زمینه پیشرفته را بررسی میکنند، توضیحات پسزمینه دقیقی از اثرات و دستگاههای مبتنی بر اسپین و تحلیل نظری آنها در مدارهای نانوالکترونیکی ارائه میدهد.
By exploiting the novel properties of quantum dots and nanoscale Aharonov–Bohm rings together with the electronic and magnetic properties of various semiconductor materials and graphene, researchers have conducted numerous theoretical and computational modeling studies and experimental tests that show promising behavior for spintronics applications. Spin polarization and spin-filtering capabilities and the ability to manipulate the electron spin state through external magnetic or electric fields have demonstrated the promise of workable nanoscale devices for computing and memory applications. This book provides researchers investigating this cutting-edge field with detailed background descriptions of spin-based effects and devices and their theoretical analysis in nanoelectronic circuits.