دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک ویرایش: نویسندگان: Dogel S. سری: ناشر: سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 153 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Spectroscopic ellipsometry of interfacial phase transitions in fluid metallic systems: KxKCl1-x and Ga1-xBix به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب بیضیسنجی طیفسنجی انتقال فاز سطحی در سیستمهای فلزی سیال: KxKCl1-x و Ga1-xBix نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
بررسی انتقال فازهای سطحی در سیستمهای سیال با برهمکنشهای بین فلزی کوتاهبرد از علاقه زیادی برخوردار است. پدیدهها در دو سیستم که شکاف امتزاجپذیری مایع-مایع را نشان میدهند مورد مطالعه قرار گرفتند: در رابط مایع/دیوار در سیال KxKCl1-x و در رابط سیال/خلاء آلیاژهای Ga1 xBix. برای توصیف تغییرات سطحی لایه های فوق نازک (ترکیب، ضخامت و تکامل آنها با زمان) بیضی سنجی طیف سنجی در یک محدوده طیفی گسترده انجام شد. در حالی که در آزمایشهای روی KxKCl1-x میتوان از یک بیضیسنج موجود استفاده کرد، یک دستگاه کاملاً جدید UHV شامل بیضیسنج مدولاسیون فاز درجا باید برای آلیاژهای Ga1 xBix ساخته میشد. برای سیستم KxKCl1-x نتایج جدیدی در مورد خیس شدن کامل در همزیستی جامد-مایع و همچنین در فاز مایع همگن (پیش خیس شدن) ارائه شده است. طیف ها جذب مرکز F معمولی را نشان می دهند که نشان می دهد فیلم یک فاز غنی از نمک است. ضخامت با نزدیک شدن به مونوتکتیک از 30 تا 440 نانومتر به شدت افزایش مییابد که با سناریوی خیس شدن نقطه تترا مطابقت دارد. برای این تفسیر یک توصیف کمی از انرژی گیبس اضافی ایجاد شده است. برای سیستم Ga1 xBix نتایج در مورد خیس شدن کامل، انجماد سطح و ناپایداری های سطحی نوسانی ارائه شده است. طیف های با دقت بالا به امتزاج پذیری مایع-مایع نزدیک می شوند. این طیف ها با استفاده از یک تقریب متوسط موثر Ga-Bi برای بستر پوشش داده شده توسط یک فیلم از مایع Bi مدل شده اند. اندازه گیری ها شواهدی از خیس شدن نقطه تترا در سیستم Ga-Bi را نشان می دهد. اولین مطالعه بیضی سنجی انجماد سطح در Ga-Bi انجام شده است. در شکاف امتزاج پذیری اثر بسیار جالبی از ناپایداری نوسانی سطح و توده مشاهده شد. جزئیات این فرآیند در حال حاضر به خوبی درک نشده است، اما یک توصیف کیفی ارائه شده است.
The investigation of the interfacial phase transitions in fluid systems with short-range intermetallic interactions are of great interest. The phenomena were studied in two systems exhibiting a liquid-liquid miscibility gap: at the fluid/wall interface in fluid KxKCl1-x and at the fluid/vacuum interface of the Ga1 xBix alloys. To characterize the interfacial changes of the ultra thin films (composition, thickness and their evolution with time) the spectroscopic ellipsometry was performed over a wide spectral range. Whereas in the experiments on KxKCl1-x an existing ellipsometer could be used, a completely new UHV-apparatus including the in-situ phase modulation ellipsometer had to be developed for Ga1 xBix alloys. For the KxKCl1-x system new results on complete wetting at solid-liquid coexistence as well as in the homogenous liquid phase (prewetting) are presented. The spectra show the typical F center absorption which indicates that the film is a salt-rich phase. The thickness strongly increases approaching the monotectic from 30 to 440 nm, which is in agreement with the tetra point wetting scenario. For this interpretation a quantitative description of the excess Gibbs energy has been developed. For the Ga1 xBix system the results on complete wetting, surface freezing and oscillatory interfacial instabilities are presented. The high-precision spectra have been recorded approaching the liquid-liquid miscibility. These spectra have been modeled using a Ga-Bi effective medium approximation for the substrate covered by a film of liquid Bi. The measurements give evidence of tetra point wetting in the Ga-Bi system. First ellipsometric study of the surface freezing in Ga-Bi has been performed. Within the miscibility gap a very interesting effect of surface and bulk oscillatory instability was observed. The details of this process at present are not well understood, but a qualitative description is given.