برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions

دانلود کتاب رشد تک کریستالی نیمه هادی ها از محلول های فلزی

مشخصات کتاب

Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions

دسته بندی: فیزیک
ویرایش: 1st ed 
نویسندگان: Sadik Dost. Brian Lent  
سری:  
ISBN (شابک) : 0444522328, 9780444522320 
ناشر: Elsevier 
سال نشر: 2007 
تعداد صفحات: 505 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 36 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 50,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 9

در صورت تبدیل فایل کتاب Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب رشد تک کریستالی نیمه هادی ها از محلول های فلزی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب رشد تک کریستالی نیمه هادی ها از محلول های فلزی

رشد تک کریستالی نیمه هادی ها از محلول های فلزی، چهار تکنیک رشد اصلی را پوشش می دهد که در حال حاضر برای رشد تک بلورهای نیمه هادی از محلول های فلزی استفاده می شود. ارائه یک بررسی عمیق از آخرین هنر هر یک، هم به صورت تجربی و هم با شبیه سازی عددی. اهمیت تعامل نزدیک بین جنبه های عددی و تجربی فرآیندها نیز مورد تاکید قرار می گیرد. پیشرفت‌ها در زمینه‌های الکترونیک و اپتوالکترونیک به دلیل تعداد محدودی از مواد بستر که می‌توانند به آسانی با تکنیک‌های رشد مذاب مانند روش‌های Czochralski و Bridgman تولید شوند، مختل شده است. این می تواند با استفاده از روش های رشد جایگزین، و به ویژه، رشد از محلول های فلزی کاهش یابد. تکنیک های اصلی در حال حاضر مورد استفاده عبارتند از: اپیتاکسی فاز مایع. الکترواپیتاکسی فاز مایع؛ روش بخاری مسافرتی و انتشار فاز مایع روش تک کریستالی نیمه هادی ها از محلول های فلزی به عنوان یک ابزار مرجع ارزشمند برای محققان و دانشجویان فارغ التحصیل و ارشد در زمینه رشد کریستال عمل خواهد کرد. این بیشتر مدل های توسعه یافته در سال های اخیر را پوشش می دهد. توسعه دقیق معادلات اساسی و سازنده و رابط و شرایط مرزی مرتبط برای هر تکنیک برای محققان برای توسعه مدل‌های جدیدشان بسیار ارزشمند خواهد بود. * اصول مدل‌سازی رشد کریستال را شرح می‌دهد * ارائه توصیفی پیشرفته از فرآیندهای رشد ریاضی و تجربی * به خواننده اجازه می‌دهد بینش روشنی در مورد جنبه‌های عملی و ریاضی موضوع به دست آورد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions covers the four principal growth techniques currently in use for the growth of semiconductor single crystals from metallic solutions. Providing an in-depth review of the state-of-the-art of each, both experimentally and by numerical simulations. The importance of a close interaction between the numerical and experimental aspects of the processes is also emphasized. Advances in the fields of electronics and opto-electronics are hampered by the limited number of substrate materials which can be readily produced by melt-growth techniques such as the Czochralski and Bridgman methods. This can be alleviated by the use of alternative growth techniques, and in particular, growth from metallic solutions. The principal techniques currently in use are: Liquid Phase Epitaxy; Liquid Phase Electroepitaxy; the Travelling Heater Method, and; Liquid Phase Diffusion. Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions will serve as a valuable reference tool for researchers, and graduate and senior undergraduate students in the field of crystal growth. It covers most of the models developed in recent years. The detailed development of basic and constitutive equations and the associated interface and boundary conditions given for each technique will be very valuable to researchers for the development of their new models. * Describes the fundamentals of crystal growth modelling * Providing a state-of-the art description of the mathematical and experimental growth processes * Allows reader to gain clear insight into the practical and mathematical aspects of the topic