دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 2., überarb. erw. Aufl.
نویسندگان: Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)
سری: Teubner-Studienbücher: Elektrotechnik
ISBN (شابک) : 9783519101499, 9783322940537
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag
سال نشر: 1999
تعداد صفحات: 322
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 8 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Silizium-Halbleitertechnologie به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اساس فناوری یکپارچه سازی میکروالکترونیک، فناوری نیمه هادی سیلیکونی است. این از تعداد زیادی فرآیند تکراری تشکیل شده است که پیاده سازی و تجهیزات آن باید الزامات شدید را برآورده کند تا اندازه ساختار مورد نیاز تا چند 100 نانومتر به طور یکنواخت و قابل تکرار تولید شود. تعامل اکسیداسیون ها، مراحل اچینگ و کاشت برای تولید مدارهای MOS و دوقطبی، و همچنین الزامات دستگاه - از سیلیکون خام تا مدار مجتمع کپسوله شده - از دیدگاه کاربر توضیح داده شده است. تمرین هایی در مورد موضوعات فردی برای تست درک گنجانده شده است. علاوه بر اصول اولیه، این کتاب همچنین به اجرای فنی فرآیندهای فردی می پردازد که برای تشکیل فناوری یکپارچه سازی گرد هم آمده اند. این هدف برای دانشجویان رشته های الکترونیک، مهندسی برق، علوم کامپیوتر و فیزیک، و همچنین برای هر کسی که می خواهد بینشی در مورد فناوری ساخت قطعات میکروالکترونیک به دست آورد. ویرایش دوم توسعه یافته همچنین به پیشرفت های جدید در فرآیندهای لیتوگرافی، متالیزاسیون مس و اصول اولیه برای تولید ترانزیستورهای MOS با طول کانال تا 50 نانومتر می پردازد.
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Zur ?berpr?fung des Verst?ndnisses sind ?bungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengef?hrt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik f?r mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zus?tzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen f?r die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanall?ngen bis zu 50 nm.
Front Matter....Pages I-XI
Einleitung....Pages 1-3
Herstellung von Siliziumscheiben....Pages 4-23
Oxidation des Siliziums....Pages 24-36
Lithografie....Pages 37-58
Ätztechnik....Pages 59-82
Dotiertechniken....Pages 83-111
Depositionsverfahren....Pages 112-130
Metallisierung und Kontakte....Pages 131-149
Scheibenreinigung....Pages 150-160
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration....Pages 161-193
Erweiterungen zur Höchstintegration....Pages 194-237
Bipolar-Technologie....Pages 238-251
Montage integrierter Schaltungen....Pages 252-279
Back Matter....Pages 280-311