دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 4, durchges. und erg. Aufl.
نویسندگان: Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)
سری: Teubner Studienskripten Soziologie
ISBN (شابک) : 9783519301493, 9783322940728
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag
سال نشر: 2004
تعداد صفحات: 338
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Silizium-Halbleitertechnologie به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اساس فناوری یکپارچه سازی میکروالکترونیک، فناوری نیمه هادی
سیلیکونی است. این از تعداد زیادی فرآیند تکراری تشکیل شده است که
پیاده سازی و تجهیزات آن باید الزامات شدید را برآورده کند تا
اندازه ساختار مورد نیاز تا چند 100 نانومتر به طور یکنواخت و
قابل تکرار تولید شود. تعامل اکسیداسیون، مراحل اچ و کاشت برای
تولید مدارهای MOS و دوقطبی - از سیلیکون خام تا مدار مجتمع محصور
شده - از دیدگاه کاربر توضیح داده شده است. علاوه بر اصول اولیه،
این کتاب همچنین به اجرای فنی فرآیندهای فردی برای فناوری یکپارچه
سازی می پردازد. برای روشن شدن بیشتر مطالب، تصاویر و بالاتر از
همه تمرینات اضافی به ویرایش چهارم اضافه شد.
"اولریش هیلرینگمن با کتاب (...) خود در انجام این کار موفق شد:
موضوع پیچیده و گسترده را به طور دقیق و در عین حال همیشه به روشی
قابل درک ارائه کرد."
Electronics, 11/2003
Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer
Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen,
deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen
Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en
bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu
erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und
Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen
werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten
integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das
Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische
Durchf?hrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur
weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage
Abbildungen und vor allem weitere ?bungsaufgaben erg?nzt.
"Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies
gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie pr?zise und
doch stets verst?ndlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003
Front Matter....Pages I-XIII
Einleitung....Pages 1-4
Herstellung von Siliziumscheiben....Pages 5-24
Oxidation des Siliziums....Pages 25-38
Lithografie....Pages 39-64
Ätztechnik....Pages 65-90
Dotiertechniken....Pages 91-118
Depositionsverfahren....Pages 119-137
Metallisierung und Kontakte....Pages 138-159
Scheibenreinigung....Pages 160-170
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration....Pages 171-202
Erweiterungen zur Höchstintegration....Pages 203-247
Bipolar-Technologie....Pages 248-261
Montage integrierter Schaltungen....Pages 262-289
Back Matter....Pages 290-326