دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 3., überarb. u. erg. Aufl.
نویسندگان: Ulrich Hilleringmann (auth.)
سری: Silizium-Halbleitertechnologie
ISBN (شابک) : 9783519201496, 9783322941190
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag
سال نشر: 2002
تعداد صفحات: 320
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 12 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Silizium-Halbleitertechnologie به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری نیمه هادی سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اساس فناوری یکپارچه سازی میکروالکترونیک، فناوری نیمه هادی
سیلیکونی
است. این از تعداد زیادی از فرآیندهای تکراری تشکیل شده است که
پیاده سازی و تجهیزات آنها باید الزامات شدید را برآورده کند تا
به اندازه ساختار مورد نیاز تا چند 100 نانومتر به طور یکنواخت
دست یابد و آن را به صورت تکراری تولید کند. تعامل اکسیداسیون،
مراحل اچینگ و کاشت برای تولید MOS و مدارهای دوقطبی، و همچنین
الزامات مکانیکی توضیح داده شده است - از سیلیکون خام تا مدار
مجتمع محصور شده
- از دیدگاه از سازنده مدار تمرینات روی موضوعات فردی برای آزمون
درک ادغام شده است. علاوه بر اصول، این کتاب همچنین به اجرای فنی
فرآیندهای فردی می پردازد که برای شکل دادن به تکنیک یکپارچه سازی
گرد هم آمده اند. این برای دانشجویان رشتههای الکترونیک، مهندسی
برق، میکروفنولوژی، علوم کامپیوتر و فیزیک و همچنین برای هر کسی
که میخواهد بینشی در مورد فناوری ساخت قطعات میکروالکترونیک به
دست آورد.
ویرایش سوم اصلاحشده و تکمیلشده شامل بخشهای اضافی
در مورد فوتولیتوگرافی، اچینگ، و پرداخت شیمیایی-مکانیکی
است.
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist
die
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer
Vielzahl von
sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren
Durchf?hrung und
apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen,
um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm
gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel
der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung
von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen
Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur
gekapselten
integrierten Schaltung - aus Sicht der Schaltungshersteller
erl?utert. Zur
?berpr?fung des Verst?ndnisses sind ?bungsaufgaben zu den
einzelnen Themen
eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch
die
technische Durchf?hrung der Einzelprozesse, die zur
Integrationstechnik
zusammengef?hrt werden. Es richtet sich an Studierende der
Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrotechnologie,
Informatik und Physik, sowie an alle,
die einen Einblick in die Herstellungstechnik f?r
mikroelektronische
Bauelemente gewinnen wollen.
Die ?berarbeitete und erg?nzte 3. Auflage enth?lt zus?tzliche
Abschnitte
zur Fotolithografie, zur ?tztechnik und zum
chemisch-mechanischen
Polieren.
Front Matter....Pages I-XIII
Einleitung....Pages 1-3
Herstellung von Siliziumscheiben....Pages 4-22
Oxidation des Siliziums....Pages 23-35
Lithografie....Pages 36-59
Ätztechnik....Pages 60-83
Dotiertechniken....Pages 84-111
Depositionsverfahren....Pages 112-130
Metallisierung und Kontakte....Pages 131-151
Scheibenreinigung....Pages 152-161
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration....Pages 162-193
Erweiterungen zur Höchstintegration....Pages 194-236
Bipolar-Technologie....Pages 237-250
Montage integrierter Schaltungen....Pages 251-276
Back Matter....Pages 277-309