Silicon Nitride for Microelectronic Applications: Part 1 Preparation and Properties

مقدار زیادی از ادبیات در مورد فناوری نیترید سیلیکون لایه نازک نشان دهنده علاقه وزارت دفاع، ناسا و صنعت نیمه هادی به توسعه و استفاده کامل از این ماده است. این بررسی فقط به ویژگی‌های لایه نازک و خواص نیترید سیلیکون که در حال حاضر توسط صنعت نیمه‌رسانا یا میکروالکترونیک استفاده می‌شود، مربوط می‌شود. همچنین شامل روش های مختلف تهیه است. برنامه‌های کاربردی در دستگاه‌ها و مدارهای میکروالکترونیک باید در بخش 2 بررسی ارائه شود. برخی از داده های انبوه ویژگی نیترید سیلیکون برای مقاصد مرجع و مقایسه اولیه گنجانده شده است. این نظرسنجی به طور خاص مراجع و اطلاعاتی را که در حوزه عمومی نیستند حذف می کند. قدردانی این نظرسنجی تحت قرارداد F33615-70-C-1348 نیروی هوایی ایالات متحده با آقای B.R. آزمایشگاه مواد نیروی هوایی امریش (MAAM)، پایگاه نیروی هوایی رایت-پترسون، اوهایو به عنوان مهندس پروژه. نویسنده مایل است از کمک های دکتر جود کیو بارتلینگ، شرکت Litton Systems، بخش سیستم های هدایت و کنترل، وودلند هیلز، کالیفرنیا و دکتر توماس سی هال، شرکت هواپیماسازی هیوز، کالور سیتی، کالیفرنیا قدردانی کند. بررسی نظرسنجی v مطالب مقدمه. i Introduction 1 Literature Review. 1 ویژگی های انبوه 1 بررسی اجمالی فناوری. 2 مراجع 4 روش تهیه • 5 مقدمه • 5 روش نیتریداسیون مستقیم 8 روش تبخیر • 9 روش تخلیه درخشان. 10 روش پرتو یونی. 13 روش کندوپاش 13 روش پیرولیتیک. 15 واکنش سیلان و آمونیاک 15 واکنش تتراکلرید سیلیکون و تترا فلوراید. 24 واکنش سیلان و هیدرازین 27 عملیات تولید. 28 تجهیزات.

The large amount of literature on the technology of thin film silicon nitride indi­ cates the interest of the Department of Defense, NASA and the semiconductor industry in the development and full utilization of the material. This survey is concerned only with the thin film characteristics and properties of silicon nitride as currently utilized by the semiconductor or microelectronics industry. It also includes the various methods of preparation. Applications in microelectronic devices and circuits are to be provided in Part 2 of the survey. Some bulk silicon nitride property data is included for basic reference and comparison purposes. The survey specifically excludes references and information not within the public domain. ACKNOWLEDGEMENT This survey was generated under U.S. Air Force Contract F33615-70-C-1348, with Mr. B.R. Emrich (MAAM) Air Force Materials Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio acting as Project Engineer. The author would like to acknowledge the assis­ tance of Dr. Judd Q. Bartling, Litton Systems, Inc., Guidance and Control Systems Division, Woodland Hills, California and Dr. Thomas C. Hall, Hughes Aircraft Company, Culver City, California in reviewing the survey. v CONTENTS Preface. i Introduction 1 Literature Review. 1 Bulk Characteristics 1 Technology Overview. 2 References 4 Methods of Preparation • 5 Introduction • 5 Direct Nitridation Method 8 Evaporation Method • 9 Glow Discharge Method. 10 Ion Beam Method. 13 Sputtering Methods 13 Pyrolytic Methods. 15 Silane and Ammonia Reaction 15 Silicon Tetrachloride and Tetrafluoride Reaction. 24 Silane and Hydrazine Reaction 27 Production Operations. 28 Equipment.