Silicon Nitride for Microelectronic Applications: Part 2 Applications and Devices

این نظرسنجی به استفاده از نیترید سیلیکون در صنایع نیمه هادی و میکروالکترونیک مربوط می شود. کتاب راهنمای مواد الکترونیکی، جلد 3، شامل بخش 1 این بررسی است و شامل اطلاعات آماده سازی و خواص است. این گزارش توسط شرکت هواپیماسازی هیوز، کالور سیتی، کالیفرنیا تحت شماره قرارداد F336lS-70-C-1348 تهیه شده است. این کار تحت هدایت آزمایشگاه مواد نیروی هوایی، فرماندهی سیستم های نیروی هوایی، پایگاه نیروی هوایی رایت-پترسون، اوهایو، با Hr. B. Emrich، مهندس پروژه. مرکز اطلاعات خصوصیات الکترونیکی (EPIC) یک مرکز تجزیه و تحلیل اطلاعات تعیین شده وزارت دفاع است که مجاز به ارائه اطلاعات برای کل جامعه وزارت دفاع است. هدف این مرکز ارائه منبع بسیار شایسته اطلاعات و داده ها در مورد خواص الکترونیکی، نوری و مغناطیسی مواد با ارزش برای وزارت دفاع است. وظیفه اصلی آن ارزیابی، گردآوری و انتشار داده های تجربی از متون طبقه بندی نشده جهان در مورد خواص مواد است. تمام مواد مرتبط با حوزه الکترونیک در محدوده EPIC قرار دارند: عایق ها، نیمه هادی ها، فلزات، هادی های فوق العاده، فریت ها، فروالکتریک ها، فرومغناطیس، الکترولومینسنت ها، تابشگرهای ترمیونی و مواد نوری. دامنه این مرکز شامل اطلاعات بیش از 100 ویژگی اساسی مواد است. اطلاعاتی که عموماً در حوزه دستگاه ها و/یا مدارات در نظر گرفته می شوند مستثنی هستند. v محتویات پیشگفتار. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . v مقدمه. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 کاربردهای ماسک انتشار. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . '\" 11 مهر و موم شیشه به فلز ... . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... . . . . . .

This survey is concerned with the use of silicon nitride in the semi­ conductor and microelectronics industries. The Handbook of Electronic Materials, volume 3, comprises part 1 of this survey and includes preparation and properties information. This report was prepared by Hughes Aircraft Company, Culver City, California under Contract Number F336lS-70-C-1348. The work was admini­ stered under the direction of the Air Force Materials Laboratory, Air Force Systems Command, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio, with Hr. B. Emrich, Project Engineer. The Electronic Properties Information Center (EPIC) is a designated Information Analysis Center of the Department of Defense, authorized to pro­ vide information to the entire DoD community. The purpose of the Center is to provide a highly competent source of information and data on the electronic, optical and magnetic properties of materials of value to the Department of Defense. Its major function is to evaluate, compile and publish the experi­ mental data from the world's unclassified literature concerned with the properties of materials. All materials relevant to the field of electronics are within the scope of EPIC: insulators, semiconductors, metals, super­ conductors, ferrites, ferroelectrics, ferromagnetics, electroluminescents, thermionic emitters and optical materials. The Center's scope includes information on over 100 basic properties of materials; information generally regarded as being in the area of devices and/or circuitry is excluded. v CONTENTS Foreword. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . v Introduction. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Diffusion Mask Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . '" 11 Glass-to-Metal Seals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 Passivation Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 Isolation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 Memory Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41 Capacitors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 Radiation Hardening Applications . . . . . . . . . . . . . . . •. . . . . . . . .