دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Henry H. Radamson, Guilei Wang سری: ISBN (شابک) : 9783036546780, 9783036546773 ناشر: MDPI سال نشر: 2022 تعداد صفحات: 239 [240] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 52 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Nanodevices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نانودستگاه های سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
نانودستگاههای سیلیکونی یک موضوع داغ در فناوری کنونی است. شروع قانون مور و دنبال کردن نقشه راه فناوری برای کاهش ترانزیستورها یکی از مهمترین اهداف در صنعت نیمه هادی است. همانطور که تحقیقات ما به سمت مرزهای ناشناخته پیش می رود، مرز در بخش های مختلف علم با هم ظاهر می شود. بنابراین، ما مجموعه ای از مقالات تحقیقاتی در الکترونیک و فوتونیک را برای برجسته کردن سنتز مواد و ساخت دستگاه انتخاب کرده ایم. ویراستاران مایلند از بحث های ارزشمند و مطالبی از همه نویسندگان و حمایت ها و کمک های ارزشمند موسسه مدار و سیستم یکپارچه منطقه خلیج بزرگ گوانگدونگ، آکادمی فناوری حافظه ابر رشته پکن، موسسه میکروالکترونیک، آکادمی علوم چین تشکر کنند.
Silicon nanodevices is a hot topic in the current technology. The start of Moore’s law and the following of technology roadmap to scale down the transistors is one of the most important objectives in the semiconductor industry. As our research is proceeding towards to the unknown frontiers, the boundary in different parts of science is emerging together. Therefore, we have chosen a series of research articles in electronics and photonics to highlight the material synthesis and device manufacturing. The editors would like to acknowledge valuable discussions with and material from all the authors and the valuable supports and help from Guangdong Greater Bay Area Institute of Integrated Circuit and System, Beijing Superstring Academy of Memory Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences.