دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: کامپیوتر ویرایش: 1st Ed. نویسندگان: John D. Cressler سری: ISBN (شابک) : 9781420066906, 1420066900 ناشر: CRC Press سال نشر: 2007 تعداد صفحات: 468 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Heterostructure Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاههای ساختار ناهمسان سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب با توجه به بالغترین دستگاههای ناهمساختار Si و جای تعجب ندارد که کاملاً تحقیق شده است، دستگاههای ناهمساختار مبتنی بر سیلیکون از جمله SiGe HBTs، FET ناهمساختار، سایر دستگاههای ناهمساختار، و اجزای نوری الکترونیکی را پوشش میدهد. فصل ها به بررسی کلی، ویژگی ها و کاربردهای مشتق شده هر دستگاه می پردازند. این کتاب حاوی نماهای متعدد \"عکس فوری\" از پیشرفته ترین فناوری های صنعتی SiGe HBT BiMOCS است. ضمائم مرجع آسان خواص سیلیکون و ژرمانیوم، روابط مول-راس تعمیم یافته، روابط کنترل بار یکپارچه، و پارامترهای مدل فشرده SiGe HBT ساده را ارائه می دهند.
Putting the spotlight on the most mature Si heterostructure devices and, not surprisingly, the most completely researched, this book covers silicon-based heterostructure devices including SiGe HBTs, heterostructure FET, other heterostructure devices, and optoelectronic components. The chapters discuss overview, characteristics, and derivative applications of each device. The book contains numerous "snapshot" views of the industrial state-of-the-art for SiGe HBT BiMOCS technology. Easy reference appendices provide properties of silicon and germanium, the generalized moll-ross relations, integral charge-control relations, and simple SiGe HBT Compact Model Parameters.