برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures

دانلود کتاب لایه های تیره سیلیکون-ژرمانیوم و Heterostructures

مشخصات کتاب

Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش: 2 
نویسندگان: S.C. Jain and M. Willander (Eds.)  
سری: Semiconductors and Semimetals 74 
ISBN (شابک) : 0127521836, 9780080541020 
ناشر: Elsevier, Academic Press 
سال نشر: 2003 
تعداد صفحات: 325 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 42,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 12

در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب لایه های تیره سیلیکون-ژرمانیوم و Heterostructures نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب لایه های تیره سیلیکون-ژرمانیوم و Heterostructures

مطالعه لایه‌های سیلیکونی ژرمانیوم دارای پیامدهای گسترده‌ای برای دانشمندان و مهندسان مواد، به‌ویژه کسانی که روی طراحی و مدل‌سازی دستگاه‌های نیمه‌رسانا کار می‌کنند، دارد. از زمان انتشار جلد اصلی در سال 1994، جریان ثابتی از ایده‌های جدید، درک جدید، ساختارهای جدید سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) و دستگاه‌های جدید با عملکرد پیشرفته وجود داشته است. ویرایش دوم لایه‌ها و ساختارهای ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم که هم برای دانشجویان و هم برای محققین ارشد نوشته شده است، به‌روزرسانی اساسی این موضوع مهم را ارائه می‌کند و به ویژه پیشرفت‌های اخیر در فناوری و مدل‌سازی را توصیف می‌کند. * ویرایش دوم کاملاً اصلاح شده و به روز شده که دستاوردهای مهم اخیر و بررسی کامل ادبیات را در خود جای داده است * کتابشناسی گسترده بیش از 400 مقاله یک نمای کلی جامع و منسجم از موضوع ارائه می دهد * مناسب برای دانشجویان و محققان ارشد

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The study of Silicone Germanium strained layers has broad implications for material scientists and engineers, in particular those working on the design and modelling of semi-conductor devices. Since the publication of the original volume in 1994, there has been a steady flow of new ideas, new understanding, new Silicon-Germanium (SiGe) structures and new devices with enhanced performance. Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures provides an essential up-date of this important topic, describing in particular the recent developments in technology and modelling. * Fully-revised and updated 2nd edition incorporating important recent breakthroughs and a complete literature review* The extensive bibliography of over 400 papers provides a comprehensive and coherent overview of the subject* Appropriate for students and senior researchers

فهرست مطالب

Content: 
Preface to the first edition
Pages xi-xii
S.C. Jain

Preface to the second edition
Pages xiii-xiv
S.C. Jain, M. Willander

Chapter 1 Introduction
Pages 1-7

Chapter 2 Strain, stability, reliability and growth Original Research Article
Pages 9-40

Chapter 3 Mechanism of strain relaxation Original Research Article
Pages 41-60

Chapter 4 Strain, growth, and TED in SiGeC layers Original Research Article
Pages 61-90

Chapter 5 Bandstructure and related properties Original Research Article
Pages 91-145

Chapter 6 Heterostructure bipolar transistors Original Research Article
Pages 147-194

Chapter 7 FETs and other devices Original Research Article
Pages 195-241

Bibliography
Pages 243-280

Index
Pages 281-285

Contents of volumes
Pages 287-308