ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Silicon Epitaxy

دانلود کتاب اپیتاکسی سیلیکونی

Silicon Epitaxy

مشخصات کتاب

Silicon Epitaxy

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش: 1st 
نویسندگان:   
سری: Semiconductors and Semimetals 72 
ISBN (شابک) : 012752181X, 9780080541006 
ناشر: Elsevier, Academic Press 
سال نشر: 2001 
تعداد صفحات: 514 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 25 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اپیتاکسی سیلیکونی

از زمان آغاز به کار خود در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران، و همکاران مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه Willardson and Beer، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به تولید جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشارشان تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، یک متخصص شناخته شده در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، نقص در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون و برخی دیگر نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The Willardson and Beer series, as it is widely known, has succeeded in producing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise that this tradition will be maintained and even expanded.



فهرست مطالب

Content: 
Preface
Pages xv-xvii
Danilo Crippa, Daniel L. Rode, Maurizio Masi

List of contributors
Pages xix-xx

Chapter 1 CVD technologies for silicon: A quick survey Original Research Article
Pages 1-50
A.M. Rinaldi, D. Crippa

Chapter 2 Epitaxial growth theory: Vapor-phase and surface chemistry Original Research Article
Pages 51-88
C. Cavallotti, M. Masi

Chapter 3 Epitaxial growth facilities, equipment, and supplies Original Research Article
Pages 89-125
V. Pozzetti

Chapter 4 Epitaxial growth techniques: Low-temperature epitaxy Original Research Article
Pages 127-149
J. Murota

Chapter 5 Epitaxial growth techniques: Molecular beam epitaxy Original Research Article
Pages 151-183
Y. Shiraki

Chapter 6 Epitaxial growth modeling Original Research Article
Pages 185-224
M. Masi, S. Kommu

Chapter 7 Epitaxial layer characterization and metrology Original Research Article
Pages 225-276
V.-M. Airaksinen

Chapter 8 Epitaxy for discrete and power devices Original Research Article
Pages 277-293
G. Beretta

Chapter 9 Epitaxy on patterned wafers Original Research Article
Pages 295-343
S. Acerboni

Chapter 10 Si-Based alloys: SiGe and SiGe:C Original Research Article
Pages 345-395
D.J. Meyer

Chapter 11 Silicon epitaxy: New applications Original Research Article
Pages 397-457
D. Dutartre

Index
Pages 459-470

Contents of volumes in this series
Pages 471-491





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی