Silicon Chemical Etching

در اولین مقاله به این حجم می خوانیم که تولید جهانی سیلیکون تک کریستال حدود 2000 تن در سال است. با توجه به اندازه بلورهای سیلیکونی امروزی، این تعداد معادل 100000 کریستال سیلیکونی است که هر ساله توسط روش Czochralski (80٪) یا منطقه شناور (20٪) رشد می کند. اما، تا آنجا که من می دانم، هیچ مقاله منسجم و جامعی نوشته نشده است که به "هنر و علم" و همچنین جنبه های عملی و فنی رشد کریستال های سیلیکون با تکنیک Czochralski بپردازد. اگر مقاله مروری W. Dietze، W. Keller و A. Miihlbauer که در جلد 5 قبلی ("سیلیکون") از این مجموعه منتشر شده بود، در مورد تکنیک منطقه شناور نیز همینطور است برای تک نگاری دو نفر از نویسندگان فوق که تقریباً در همان زمان منتشر شده است). به عنوان ویراستار این جلد، بسیار خوشحالم که موفق شدم دو دانشمند، W. Zulehner و D. Huber، از Wacker-Chemitronic GmbH - بزرگترین تولید کننده کریستال سیلیکون در جهان - را متقاعد کنم که مقاله ای جامع در مورد موارد کاربردی و کاربردی بنویسند. جنبه های علمی رشد کریستال های سیلیکونی به روش چوکرالسکی و در مورد ساخت ویفر سیلیکونی من مطمئن هستم که بسیاری از دانشمندان یا مهندسانی که با کریستال های سیلیکون کار می کنند - چه در آزمایشگاه و چه در محیط تولید - از اولین مقاله در این جلد سود خواهند برد.

In the first contribution to this volume we read that the world-wide production of single­ crystal silicon amounts to some 2000 metric tons per year. Given the size of present-day silicon-crystals, this number is equivalent to 100000 silicon-crystals grown every year by either the Czochralski (80%) or the floating-zone (20%) technique. But, to the best of my knowledge, no coherent and comprehensive article has been written that deals with "the art and science", as well as the practical and technical aspects of growing silicon­ crystals by the Czochralski technique. The same could be said about the floating-zone technique were it not for the review article by W. Dietze, W. Keller and A. Miihlbauer which was published in the preceding Volume 5 ("Silicon") of this series (and for a monograph by two of the above authors published about the same time). As editor of this volume I am very glad to have succeeded in persuading two scien­ tists, W. Zulehner and D. Huber, of Wacker-Chemitronic GmbH - the world's largest producer of silicon-crystals - to write a comprehensive article about the practical and scientific aspects of growing silicon-crystals by the Czochralski method and about silicon­ wafer manufacture. I am sure that many scientists or engineers who work with silicon­ crystals -be it in the laboratory or in a production environment - will profit from the first article in this volume.