ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Silicon carbide power devices

دانلود کتاب دستگاه های قدرت سیلیکون کاربید

Silicon carbide power devices

مشخصات کتاب

Silicon carbide power devices

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9812566058, 9789812774521 
ناشر: World Scientific Pub Co Inc 
سال نشر: 2006 
تعداد صفحات: 526 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 24 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon carbide power devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های قدرت سیلیکون کاربید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های قدرت سیلیکون کاربید

دستگاه های نیمه هادی قدرت به طور گسترده ای برای کنترل و مدیریت انرژی الکتریکی استفاده می شود. بهبود عملکرد دستگاه‌های قدرت باعث کاهش هزینه‌ها و افزایش کارایی شده و در نتیجه مصرف سوخت‌های فسیلی کمتر و آلودگی زیست‌محیطی کمتری دارد. این کتاب اولین درمان منسجم فیزیک و طراحی دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون را با تاکید بر ساختارهای تک قطبی ارائه می دهد. از نتایج شبیه‌سازی‌های عددی گسترده برای روشن کردن اصول عملکرد این دستگاه‌های مهم استفاده می‌کند. مطالب: خواص مواد و فناوری. ولتاژ شکست؛ یکسو کننده های پین؛ یکسو کننده های شاتکی؛ یکسو کننده های شاتکی محافظ; ترانزیستورهای اثر میدانی فلزی نیمه هادی. پیکربندی Baliga-Pair; ماسفت های قدرت مسطح; ماسفت های مسطح محافظ؛ ماسفت های برقی ترنچ گیت; ماسفت های شیلددار Trendch-Gate; ساختارهای همراه شارژ. دیودهای انتگرال؛ FET های ولتاژ بالا جانبی؛ خلاصه داستان


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Power semiconductor devices are widely used for the control and management of electrical energy. The improving performance of power devices has enabled cost reductions and efficiency increases resulting in lower fossil fuel usage and less environmental pollution. This book provides the first cohesive treatment of the physics and design of silicon carbide power devices with an emphasis on unipolar structures. It uses the results of extensive numerical simulations to elucidate the operating principles of these important devices. Contents: Material Properties and Technology; Breakdown Voltage; PiN Rectifiers; Schottky Rectifiers; Shielded Schottky Rectifiers; Metal-Semiconductor Field Effect Transistors; The Baliga-Pair Configuration; Planar Power MOSFETs; Shielded Planar MOSFETs; Trench-Gate Power MOSFETs; Shielded Trendch-Gate MOSFETs; Charge Coupled Structures; Integral Diodes; Lateral High Voltage FETs; Synopsis.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی