Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments

Microsystems Carbide Silicon for Harsh Environments فناوری‌های پیشرفته کاربید سیلیکون (SiC) را بررسی می‌کند که در صورت ترکیب، میکروسیستم‌هایی را ایجاد می‌کنند که قادر به ادامه حیات در محیط‌های خشن هستند. آمادگی فن‌آوری اجزای سیستم، مسائل کلیدی هنگام ادغام این اجزا در سیستم‌ها و سایر موانع در عملیات محیطی سخت به طور مفصل مورد بحث قرار می‌گیرد. نویسندگان از مجموعه پلت فرم فناوری SiC به عنوان پلتفرم مدل برای توسعه میکروسیستم‌های محیط سخت استفاده می‌کنند و سپس وضعیت فعلی فناوری‌های خاص (الکترونیک، MEMS، بسته‌بندی) را به تفصیل شرح می‌دهند. علاوه بر این، روش‌های یکپارچه‌سازی قطعات و چالش‌های کلیدی در سطح سیستم بر اساس وضعیت فعلی پردازش مواد SiC و فناوری دستگاه ارزیابی و مورد بحث قرار می‌گیرند. مسائلی مانند عدم تطابق دما، سازگاری فرآیند و پایداری دمایی اجزای منفرد و چگونگی بروز این مسائل هنگام ساختن سیستم، بررسی کاملی دارند. این کتاب همچنین:

• به پلتفرم SiC برای میکروسیستم‌های کامل می‌پردازد و فراتر از سطح دستگاه فردی است


• مجموعه‌ای جامع از SiC ارائه می‌کند. اطلاعات فناوری مربوط به میکروسیستم‌های محیط سخت


• چالش‌های موجود در ترکیب فرآیند و اجزای SiC در یک میکروسیستم را پوشش می‌دهد


• موضوعات منبع انرژی و انتقال سیگنال را در زمینه فضای برنامه کاربردی محیط سخت

سیستم های سیلیکون کاربید برای محیط های خشن نه تنها دستگاه های پیشرفته MEMS را بررسی می کند، بلکه همچنین چارچوبی برای اتصال الکترونیک و MEMS به همراه بسته بندی به ماژول های حسگر قابل استفاده برای محیط سخت آماده می کند.

<p><em>Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments</em> reviews state-of-the-art Silicon Carbide (SiC) technologies that, when combined, create microsystems capable of surviving in harsh environments. Technological readiness of the system components, key issues when integrating these components into systems, and other hurdles in harsh environment operation are discussed at length. The authors use the SiC technology platform suite as the model platform for developing harsh environment Microsystems, and then detail the current status of the specific individual technologies (electronics, MEMS, packaging). Additionally, methods towards system level integration of components and key challenges are evaluated and discussed based on the current state of SiC materials processing and device technology. Issues such as temperature mismatch, process compatibility and temperature stability of individual components and how these issues manifest when building the system receive thorough investigation. This book also: </p>
<ul>
<li>Addresses the SiC platform for complete microsystems and goes beyond the individual device level</li>
<li>Provides a comprehensive collection of SiC technologies information relevant to harsh environment microsystems</li>
<li>Covers the challenges in combining SiC process and components to a microsystem</li>
<li>Discusses power source and signal transmission issues in the context of the harsh environment application space </li>
</ul>
<p><em>Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments</em> not only reviews the state-of-the-art MEMS devices, but also provides a framework for the joining of electronics and MEMS along with packaging into usable harsh-environment-ready sensor modules.</p>