دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: بوم شناسی ویرایش: نویسندگان: Zhe Chuan Feng and Jian H.Zhao (Edt) سری: ISBN (شابک) : 0203496493, 1591690234 ناشر: Taylor & Francis سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 412 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Carbide Materials Processing Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاههای پردازش مواد کاربید سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Book Cover......Page 1
Half-Title......Page 2
Title......Page 5
Dedication......Page 6
Copyright......Page 7
Contents......Page 8
About the Series......Page 10
Preface......Page 12
1 Epitaxial Growth of High-Quality Silicon Carbide: Fundamentals and Recent Progress......Page 13
2 Surface Characterization of 6H-SiC Reconstructions......Page 56
3 Exciton and Defect Photoluminescence from SiC......Page 99
4 Deep-Level Defects in SiC Materials and Devices......Page 140
5 Ion-Implantation in SiC......Page 182
6 Ohmic Contacts to SiC for High Power and High Temperature Device Applications......Page 221
7 SiC Avalanche Breakdown and Avalanche Photodiodes......Page 297
8 Porous SiC Technology......Page 339
Index......Page 408