دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
دانلود کتاب SiGe و Si اپیتاکسی لایه‌ای برای دستگاه‌های ناهم‌ساختار سیلیکونی
مشخصات کتاب
SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
ویرایش:
نویسندگان: John D. Cressler
سری:
ISBN (شابک) : 1420066854, 9781420066869
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2007
تعداد صفحات: 264
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 5 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 45,000
در صورت تبدیل فایل کتاب SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب SiGe و Si اپیتاکسی لایه‌ای برای دستگاه‌های ناهم‌ساختار سیلیکونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب SiGe و Si اپیتاکسی لایه‌ای برای دستگاه‌های ناهم‌ساختار سیلیکونی
آنچه امروز معمول به نظر می رسد همیشه اینطور نبوده است. حوزه ناهمساختارهای مبتنی بر Si به طور محکم بر روی شانه دانشمندان مواد و پرورش دهندگان بلور است، آن دسته از تامین کنندگان "هنر سیاه" نیمه هادی که با رسوب فیلم های بکر با ابعاد نانو بر روی ویفرهای عظیم Si با دقتی تقریبا بی نهایت مرتبط است. ما اکنون می‌توانیم فیلم‌های تقریباً بدون نقص و در مقیاس نانو از اپیتاکسی لایه‌های کرنش Si و SiGe سازگار با تولید مدار مجتمع سیلیکونی با حجم بالا تولید کنیم. SiGe و Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices جنبه های مواد داستان را بیان می کند و پیشرفت های بسیاری را در اپیتاکسی لایه کرنش Si-SiGe برای کاربردهای دستگاه ها شرح می دهد. این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده Silicon Heterostructure Handbook، پیشرفت های بسیاری را در اپیتاکسی لایه کرنش Si/SiGe برای کاربردهای دستگاه تعریف و جزئیات می دهد. این کتاب با استخراج استعدادهای یک پانل بین‌المللی متشکل از کارشناسان، تکنیک‌های رشد هم‌بنی SiGe مدرن، نقص‌های epi و انتشار ناخالصی در لایه‌های نازک، محدودیت‌های پایداری، و خواص الکترونیکی SiGe، آلیاژهای Si و Si-C را پوشش می‌دهد. این شامل ضمیمه هایی در مورد موضوعاتی مانند خواص Si و Ge، روابط تعمیم یافته Moll-Ross، روابط انتگرال کنترل شارژ، و نمونه پارامترهای مدل فشرده SiGe HBT است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
What seems routine today was not always so. The field of Si-based heterostructures rests solidly on the shoulders of materials scientists and crystal growers, those purveyors of the semiconductor “black arts” associated with the deposition of pristine films of nanoscale dimensionality onto enormous Si wafers with near infinite precision. We can now grow near-defect free, nanoscale films of Si and SiGe strained-layer epitaxy compatible with conventional high-volume silicon integrated circuit manufacturing. SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices tells the materials side of the story and details the many advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook, this volume defines and details the many advances in the Si/SiGe strained-layer epitaxy for device applications. Mining the talents of an international panel of experts, the book covers modern SiGe epitaxial growth techniques, epi defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe, strained Si, and Si-C alloys. It includes appendices on topics such as the properties of Si and Ge, the generalized Moll-Ross relations, integral charge-control relations, and sample SiGe HBT compact model parameters.
