ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Sic Materials and Devices, Volume 2 (Selected Topics in Electronics and Systems)

دانلود کتاب Sic Materials and Devices, جلد 2 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها)

Sic Materials and Devices, Volume 2 (Selected Topics in Electronics and Systems)

مشخصات کتاب

Sic Materials and Devices, Volume 2 (Selected Topics in Electronics and Systems)

دسته بندی: الکترونیک
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9812703837, 9789812703835 
ناشر:  
سال نشر: 2007 
تعداد صفحات: 143 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Sic Materials and Devices, Volume 2 (Selected Topics in Electronics and Systems) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Sic Materials and Devices, جلد 2 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب Sic Materials and Devices, جلد 2 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها)

این دوم از دو جلد، چهار حوزه مهم دیگر را بررسی می‌کند: رشد بسترهای SiC. عیوب عمیق در پلی‌تیپ‌های مختلف SiC، که پس از سال‌ها تحقیق هنوز خواص SiC حجیم و عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه‌های SiC را مشخص می‌کند. کار اخیر روی SiC JFET. و مسائل پیچیده و بحث برانگیز مهم برای دستگاه های دوقطبی.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This second of two volumes reviews four important additional areas: the growth of SiC substrates; the deep defects in different SiC polytypes, which after many years of research still define the properties of bulk SiC and the performance and reliability of SiC devices; recent work on SiC JFETs; and the complex and controversial issues important for bipolar devices.





نظرات کاربران