ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration

دانلود کتاب ترانزیستورهای لایه نازک آلی کانال کوتاه: ساخت، مشخصه‌سازی، مدل‌سازی و نمایش مدار

Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration

مشخصات کتاب

Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration

ویرایش: [1 ed.] 
نویسندگان:   
سری: Springer Theses 
ISBN (شابک) : 9783319188959, 9783319188966 
ناشر: Springer International Publishing 
سال نشر: 2015 
تعداد صفحات: 220
[232] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای لایه نازک آلی کانال کوتاه: ساخت، مشخصه‌سازی، مدل‌سازی و نمایش مدار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستورهای لایه نازک آلی کانال کوتاه: ساخت، مشخصه‌سازی، مدل‌سازی و نمایش مدار



این کار از ماسک های استنسیل سیلیکونی با وضوح بالا برای ساخت OTFT های مکمل پایدار در هوا با استفاده از فرآیند ساخت در دمای پایین بهره می برد. لوازم الکترونیکی پلاستیکی مبتنی بر ترانزیستورهای لایه نازک آلی (OTFT) راه را برای محصولات ارزان، انعطاف پذیر و با مساحت بزرگ هموار می کند. طی چند سال گذشته، OTFTها از نظر قابلیت اطمینان، عملکرد و مقیاس یکپارچه سازی پیشرفت های چشمگیری داشته اند. عوامل زیادی در جذابیت این فناوری نقش دارند. ماسک‌ها سفتی و پایداری بسیار خوبی از خود نشان می‌دهند، بنابراین به OTFT‌هایی با طول کانال زیر میکرومتر و یکنواختی دستگاه فوق‌العاده اجازه می‌دهند الگو شوند. علاوه بر این، OTFT ها از یک دی الکتریک گیت بسیار نازک استفاده می کنند که ظرفیت کافی را برای ترانزیستورها فراهم می کند تا در ولتاژهای کمتر از 3 ولت کار کنند. چالش های مهم در این توسعه مکانیسم های ظریفی هستند که بر خواص OTFT های با مقیاس تهاجمی حاکم هستند. این مکانیسم‌ها که توسط فیزیک دستگاه دیکته می‌شوند، به خوبی توصیف شده و در ابزارهای طراحی مدار پیاده‌سازی شده‌اند تا از دقت شبیه‌سازی اطمینان حاصل شود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This work takes advantage of high-resolution silicon stencil masks to build air-stable complementary OTFTs using a low-temperature fabrication process. Plastic electronics based on organic thin-film transistors (OTFTs) pave the way for cheap, flexible and large-area products. Over the past few years, OTFTs have undergone remarkable advances in terms of reliability, performance and scale of integration. Many factors contribute to the allure of this technology; the masks exhibit excellent stiffness and stability, thus allowing OTFTs with submicrometer channel lengths and superb device uniformity to be patterned. Furthermore, the OTFTs employ an ultra-thin gate dielectric that provides a sufficiently high capacitance to enable the transistors to operate at voltages as low as 3 V. The critical challenges in this development are the subtle mechanisms that govern the properties of aggressively scaled OTFTs. These mechanisms, dictated by device physics, are well described and implemented into circuit-design tools to ensure adequate simulation accuracy.





نظرات کاربران