دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: A. Baldereschi and R. Resta (Eds.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780444870872, 0444870873
ناشر: North-Holland
سال نشر: 1987
تعداد صفحات: 311
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 55 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Shallow Impurity Centers in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مراکز ناخالصی کم عمق در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content:
Front Matter, Pages i-iii
Copyright, Page iv
PREFACE, Page ix, A. Frova, E. Tosatti
INTRODUCTION, Page x, Alfonso Baldereschi
SHALLOW IMPURITY STATES IN SEMICONDUCTORS — THE EARLY YEARS, Pages 1-5, Walter KOHN
SPECTROSCOPY OF SHALLOW CENTERS IN SEMICONDUCTORS: PROGRESS SINCE 1960, Pages 6-18, A.K. RAMDAS
HYDROGEN IN Si: DIFFUSION AND SHALLOW IMPURITY DEACTIVATION, Pages 19-29, M. CAPIZZI, A. MITTIGA
SPECTROSCOPIC STUDIES OF DOUBLE DONORS IN SILICON, Pages 30-46, G. GROSSMANN, K. BERGMAN, M. KLEVERMAN
PHOTOLUMINESCENCE AND INFRARED ABSORPTION STUDIES OF DOUBLE ACCEPTORS IN GERMANIUM, Pages 47-64, M.L.W. THEWALT, D. LABRIE, I.J. BOOTH, B.P. CLAYMAN, E.C. LIGHTOWLERS, E.E. HALLER
PROPERTIES OF THE 78 meV ACCEPTOR IN GaAs, Pages 65-74, W.J. MOORE, R.L. HAWKINS, B.V. SHANABROOK
ABSORPTION STRENGTHS IN THE FAR-IR SPECTRUM OF SHALLOW DONORS AND ACCEPTORS IN GERMANIUM, Pages 75-79, E. ROTSAERT, P. CLAUWS, J. VENNIK, L. VAN GOETHEM
ZEEMAN SPECTROSCOPY OF IMPURITIES IN STRESS-INDUCED UNIAXIAL GERMANIUM, Pages 80-83, P. FISHER, C.A. FREETH, R.E.M. VICKERS
SPECTROSCOPIC STUDIES OF THE LOCAL SYMMETRY OF NITROGEN PAIRS IN GaP, Pages 84-98, Bernard GIL
SHALLOW IMPURITY INTERACTIONS AND THE METAL-INSULATOR TRANSITION, Pages 99-111, R.N. BHATT
OPTICAL STUDIES OF SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL STRUCTURES, Pages 112-120, C. DELALANDE
INTRACENTER TRANSITIONS IN HYDROGENIC DONORS CONFINED IN GaAs–AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS, Pages 121-136, B.V. SHANABROOK
SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS, Pages 137-149, Yia-Chung CHANG
LATTICE DISTORTIONS AROUND ATOMIC SUBSTITUTIONS IN II–VI ALLOYS, Pages 150-175, A. BALZAROTTI
LATTICE RELAXATIONS AT SUBSTITUTIONAL IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS, Pages 176-186, Matthias SCHEFFLER
THE OXYGEN DONOR IN SILICON, Pages 187-200, Michael STAVOLA
IR-SPECTROSCOPY OF IMPURITY COMPLEXES IN GERMANIUM, Pages 201-211, E.E. HALLER
PARITY VIOLATION AND ELECTRON-SPIN RESONANCE OF DONORS IN SEMICONDUCTORS, Pages 212-233, Sergio RODRIGUEZ
VARIATIONAL MODEL OF BOUND MAGNETIC POLARON AND RAMAN SPIN FLIP LINE SHAPE, Pages 234-239, C. BENOIT À LA GUILLAUME
SHALLOW BOUND EXCITONS IN SILVER HALIDES, Pages 240-255, W. VON DER OSTEN
ELECTRONIC STRUCTURE OF BOUND EXCITONS IN SEMICONDUCTORS, Pages 256-285, B. MONEMAR, U. LINDEFELT, W.M. CHEN
PICOSECOND SPECTROSCOPY IN III–V COMPOUNDS AND ALLOY SEMICONDUCTORS, Pages 286-303, Henri MARIETTE
LIST OF CONTRIBUTORS, Page 304
ANALYTIC SUBJECT INDEX, Page 305