دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: R. R. Alfano (Eds.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780120499014, 0120499010
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1984
تعداد صفحات: 458
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 34 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductors Probed by Ultrafast Laser Spectroscopy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های کاوش شده توسط طیف سنجی لیزری فوق سریع نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
نیمه هادی های کاوش شده توسط طیف سنجی لیزری فوق سریع، جلد 1 استفاده از طیف سنجی لیزری فوق سریع در مطالعه فیزیک سریع در نیمه هادی ها را مورد بحث قرار می دهد. این پیشرفت در درک تجربی و نظری رویدادهای فوق سریعی را که در مقیاس زمانی پیکوثانیه و نانوثانیه رخ میدهند، مرور میکند. این جلد ابتدا آرامش انرژی و تکانه حامل های داغ را بررسی می کند و سپس به آرامش پلاسما و فونون ها می پردازد. همچنین دینامیک اکسایتون ها، پلاریتون ها و مولکول های اکسیتونیک را مورد بحث قرار می دهد و انتقال و انتشار گذرا حامل ها را بررسی می کند. دانشمندان، مهندسان ...
Semiconductors Probed by Ultrafast Laser Spectroscopy, Volume 1 discusses the use of ultrafast laser spectroscopy in studying fast physics in semiconductors. It reviews progress on the experimental and theoretical understanding of ultrafast events that occur on a picosecond and nanosecond time scale. This volume first explores the relaxation of energy and the momentum of hot carriers and then turns to relaxation of plasmas and phonons. It also discusses the dynamics of excitons, polaritons, and excitonic molecules and reviews transient transport and diffusion of carriers. Scientists, engineers ...
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
List of Contributors, Pages ix-x
Preface, Pages xi-xiii
Contents of Volume II, Pages xv-xvii
1 - Relaxation of Momentum and Energy of Carriers in Semiconductors, Pages 3-44, B.R. NAG
2 - Hot Carriers in Semiconductors Probed by Picosecond Techniques, Pages 45-75, JAGDEEP SHAH, R.F. LEHENY
3 - Ultrafast Relaxation Processes of Hot Photoexcited Carriers, Pages 77-108, P.A. MAKSYM, C.J. HEARN
4 - Luminescence and Absorption in Layered Semiconductors under Intense Excitation, Pages 109-131, TADAKI UGUMORI
5 - Relaxation Processes in Nonequilibrium Semiconductor Plasma, Pages 135-169, ROBERTO LUZZI, AUREA R. VASCONCELLOS
6 - Picosecond Spectroscopy of High-Density Electron–Hole Plasma in Direct-Gap Semiconductors, Pages 171-196, SHOSAKU TANAKA, HIROSHI SAITO, HIDEMI YOSHIDA, SHIGEO SHIONOYA
7 - Dynamics of High-Density Transient Electron–Hole Plasmas in Germanium, Pages 197-273, ARTHUR L. SMIRL
8 - Ultrafast Relaxation of Optical Phonons Investigated with Picosecond Pulses, Pages 275-304, A. LAUBEREAU
9 - Picosecond Dynamics of Excitonic Polaritons and Excitonic Molecules, Pages 307-328, YASUAKI MASUMOTO, YUTAKA UNUMA, SHIGEO SHIONOYA
10 - New Picosecond Spectroscopies for Probing Excitonic Polaritons and Their Kinetics in Semiconductors, Pages 329-349, YOSHINOBU AOYAGI, YUSABURO SEGAWA, SUSUMU NAMBA
11 - Diffusion of Hot Carriers at High Lattice and Electronic Temperatures, Pages 353-366, M. WAUTELET, L.D. LAUDE
12 - Transient and Stationary Properties of Hot-Carrier Diffusivity in Semiconductors, Pages 367-412, R. BRUNETTI, C. JACOBONI
13 - Transient Transport in Semiconductors and Submicron Devices, Pages 413-447, D.K. FERRY, H.L. GRUBIN, G.J. IAFRATE
Index, Pages 449-462