دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 3
نویسندگان: Professor Dr. Winfried Mönch (auth.)
سری: Springer Series in Surface Sciences 26
ISBN (شابک) : 9783642087486, 9783662044599
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2001
تعداد صفحات: 553
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 18 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب سطوح و رابط های نیمه هادی: سطوح و رابط ها، لایه های نازک، مواد نوری و الکترونیکی، شیمی فیزیک، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مشخصه سازی و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor Surfaces and Interfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سطوح و رابط های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
سطوح و رابط های نیمه هادی به خواص ساختاری و الکترونیکی سطوح و رابط های نیمه هادی می پردازد. بخش اول جنبههای کلی لایههای بار فضا، حالتهای سطح تمیز و سطوح ناشی از آداتوم و حالتهای رابط را معرفی میکند. به دنبال ارائه نتایج تجربی بر روی سطوح تمیز و پوشیده شده با آداتوم است که از نظر مفاهیم فیزیکی و شیمیایی ساده توضیح داده شده است. در صورت وجود، نتایج محاسبات دقیق تر در نظر گرفته می شود. این نسخه سوم به طور کامل اصلاح و به روز شده است. به ویژه در حال حاضر شامل بحث گسترده ای در مورد صف بندی باند در رابط های نیمه هادی است. مفهوم وحدتبخش، پیوستگی حالتهای شکاف ناشی از رابط است.
Semiconductor Surfaces and Interfaces deals with structural and electronic properties of semiconductor surfaces and interfaces. The first part introduces the general aspects of space-charge layers, of clean-surface and adatom-induced surfaces states, and of interface states. It is followed by a presentation of experimental results on clean and adatom-covered surfaces which are explained in terms of simple physical and chemical concepts. Where available, results of more refined calculations are considered. This third edition has been thoroughly revised and updated. In particular it now includes an extensive discussion of the band lineup at semiconductor interfaces. The unifying concept is the continuum of interface-induced gap states.
Front Matter....Pages I-XVI
Introduction....Pages 1-20
Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium....Pages 21-31
Surface States....Pages 33-57
Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium....Pages 59-65
Surface Space-Charge Region in Non-Equilibrium....Pages 67-80
Interface States....Pages 81-103
Cleaved {110} Surfaces of III–V and II–VI Compound Semiconductors....Pages 105-144
{100} Surfaces of III–V, II–VI, and I–VII Compound Semiconductors with Zincblende Structure....Pages 145-168
{100} Surfaces of Diamond, Silicon, Germanium, and Cubic Silicon Carbide....Pages 169-191
Diamond, Silicon, and Germanium {111}-2 × 1 Surfaces....Pages 193-218
Si(111)-7 × 7 and Ge(111)-c(2 × 8) Surfaces....Pages 219-239
Phase Transitions on Silicon and Germanium {111} Surfaces....Pages 241-253
{111} Surfaces of Compounds with Zincblende Structure....Pages 255-261
Monovalent Adatoms....Pages 263-328
Group-III Adatoms on Silicon Surfaces....Pages 329-338
Group-V Adatoms....Pages 339-351
Oxidation of Silicon and III–V Compound Semiconductors....Pages 353-376
Surface Passivation by Adsorbates and Surfactants....Pages 377-384
Semiconductor Interfaces....Pages 385-481
Back Matter....Pages 483-550