دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک ویرایش: 1 نویسندگان: Weng W. Chow, Stephan W. Koch سری: ISBN (شابک) : 9783540641667, 3540641661 ناشر: Springer سال نشر: 1999 تعداد صفحات: 127 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor-laser fundamentals: physics of the gain materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اصول پایه نیمه هادی: فیزیک مواد به دست آمده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب یک بحث عمیق در مورد محیط بهره نیمه هادی لیزری ارائه می دهد. خواص نوری و الکترونیکی نیمه هادی ها، به ویژه سیستم های چاه کوانتومی نیمه هادی، با جزئیات مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند و طیف گسترده ای از سیستم های نزدیک به مادون قرمز را با یا بدون کرنش، و همچنین مواد با شکاف وسیع مانند ترکیبات نیترید گروه III یا ترکیبات نیترید را پوشش می دهند. مواد II-VI تغییرات مهم ساختار نواری و اثرات متقابل کولن مورد بحث قرار میگیرند، از جمله راهحل مشکل قدیمی شکل خط لیزر نیمهرسانا. مقایسههای کمی بین طیفهای اندازهگیری شده و پیشبینیشده جذب/جذب و ضریب شکست برای طیف گستردهای از مواد نیمهرسانا-لیزر، نتایج نظری را قادر میسازد که مستقیماً در مهندسی ساختارهای لیزر پیشرفته و تقویتکننده استفاده شوند. انبوهی از مثالها برای بسیاری از ترکیبهای مواد مختلف، ارزش کمی و پیشبینیکنندهای به کتاب برای کاربردهای متنوع میدهد.
This book presents an in-depth discussion of the semiconductor-laser gain medium. The optical and electronic properties of semiconductors, particularly semiconductor quantum-well systems, are analzyed in detail, covering a wide variety of near-infrared systems with or without strain, as well as wide-gap materials such as the group-III nitride compounds or the II-VI materials. The important bandstructure modifications and Coulomb interaction effects are discussed, including the solution of the longstanding semiconductor laser lineshape problem. Quantitative comparisons between measured and predicted gain/absorption and refractive index spectra for a wide variety of semiconductor-laser materials enable the theoretical results to be used directly in the engineering of advanced laser and amplifier structures. A walth of examples for many different material combinations bestow the book with quantitative and predictive value for a wide variety of applications.