دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: C. A. Sébenne (auth.), Professor Dr. Guy Le Lay, Professor Dr. Jacques Derrien, Professor Dr. Nino Boccara (eds.) سری: Springer Proceedings in Physics 22 ISBN (شابک) : 9783642729690, 9783642729676 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1987 تعداد صفحات: 398 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 26 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رابط های نیمه هادی: سازند و خصوصیات: کریستالوگرافی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک، مواد نوری و الکترونیکی، شیمی فیزیک، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، اپتیک، الکترونیک نوری، پلاسمونیک و دستگاه های نوری
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor Interfaces: Formation and Properties به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رابط های نیمه هادی: سازند و خصوصیات نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
گرایش به کوچکسازی دستگاههای میکروالکترونیک و جستجوی دستگاههای اپتوالکترونیک جدید عجیب و غریب مبتنی بر چند لایه، نقش مهمی بر رابطهای نیمهرسانا ایفا میکند. اخیراً به لطف توسعه تکنیکهای جدید پیچیده، پیشرفتهای بزرگی در بسط مواد لایه نازک جدید و در توصیف ویژگیهای سطحی آنها تا مقیاس اتمی حاصل شده است. این کتاب مجموعهای از سخنرانیهایی است که در مدرسه زمستانی بینالمللی درباره رابطهای نیمهرسانا: شکلگیری و ویژگیها در مرکز فیزیکی روچ از 24 فوریه تا 6 مارس 1987 برگزار شد. هدف این مدرسه زمستانی ارائه یک برنامه جامع بود. بررسی این زمینه، به ویژه مواد و روش ها، و تدوین توصیه هایی برای تحقیقات آتی. موضوعات زیر بررسی می شوند: (i) تشکیل رابط. جنبههای کلیدی اپیتاکسی پرتوهای مولکولی، و همچنین ساخت ساختارهای لایهبندی مصنوعی، ابرشبکههای لایهای کرنششده و طراحی پروفیلهای دوپینگ ناگهانی مورد تأکید قرار گرفتهاند. (2) خصوصیات دقیق تا مقیاس اتمی با استفاده از تکنیکهای قدرتمند و اخیراً توسعهیافته مانند میکروسکوپ تونل زنی روبشی، میکروسکوپ الکترونی عبوری با وضوح بالا، پراش پرتو ایکس با تابش، امواج ایستاده اشعه ایکس، جذب دقیق پرتو ایکس سطحی ساختار و سطح ساختار ظریف با از دست دادن انرژی گسترش یافته است. (iii) ویژگیهای فیزیکی خاص رابطها و کاربردهای احتمالی آنها در دستگاهها. مایلیم به گرمی از همه اساتید و شرکت کنندگان و همچنین کمیته سازماندهی که باعث موفقیت این مدرسه زمستانی شدند تشکر کنیم.
The trend towards miniaturisation of microelectronic devices and the search for exotic new optoelectronic devices based on multilayers confer a crucial role on semiconductor interfaces. Great advances have recently been achieved in the elaboration of new thin film materials and in the characterization of their interfacial properties, down to the atomic scale, thanks to the development of sophisticated new techniques. This book is a collection of lectures that were given at the International Winter School on Semiconductor Interfaces: Formation and Properties held at the Centre de Physique des Rouches from 24 February to 6 March, 1987. The aim of this Winter School was to present a comprehensive review of this field, in particular of the materials and methods, and to formulate recom mendations for future research. The following topics are treated: (i) Interface formation. The key aspects of molecular beam epitaxy are emphasized, as well as the fabrication of artificially layered structures, strained layer superlattices and the tailoring of abrupt doping profiles. (ii) Fine characterization down to the atomic scale using recently devel oped, powerful techniques such as scanning tunneling microscopy, high reso lution transmission electron microscopy, glancing incidence x-ray diffraction, x-ray standing waves, surface extended x-ray absorption fine structure and surface extended energy-loss fine structure. (iii) Specific physical properties of the interfaces and their prospective applications in devices. We wish to thank warmly all the lecturers and participants, as well as the organizing committee, who made this Winter School a success.
Front Matter....Pages I-XI
Front Matter....Pages 1-1
An Introduction to the Formation and Properties of Semiconductor Interfaces....Pages 2-7
Front Matter....Pages 9-9
Formation of Semiconductor Interfaces During Molecular Beam Epitaxy....Pages 10-42
Build-up and Characterization of “Artificial” Surfaces for III—V Compound Semiconductors....Pages 43-46
Front Matter....Pages 47-47
Atomic Structure of Semiconductor Surfaces....Pages 48-65
Monolayer Sensitive X-Ray Diffraction Techniques: A Short Guided Tour Through the Literature....Pages 66-68
SEXAFS for Semiconductor Interface Studies....Pages 69-87
XANES and XARS for Semiconductor Interface Studies....Pages 88-101
Recent Progress in Electron Spectroscopy: Application to the Local Geometry Determination at Surfaces and Interfaces....Pages 102-108
On the Use of Electron Microscopy in the Study of Semiconductor Interfaces....Pages 109-113
Analytical Scanning Electron Microscopy Under Ultra High Vacuum....Pages 114-118
Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy....Pages 119-125
Field Emission Microscopy for Analysis of Semiconductor Surfaces....Pages 126-133
Surface and Interface Studies with MeV Ion Beams....Pages 134-149
Surface Characterization by Low-Energy Ion Scattering....Pages 150-159
Front Matter....Pages 161-161
Band Structure Theory of Semiconductor Surfaces and Interfaces....Pages 162-181
Electronic Properties of Semiconductors: Fermi Level Pinning in Schottky Barriers and Band Line-up in Semiconductors....Pages 182-195
Photoemission and Inverse Photoemission from Semiconductor Interfaces....Pages 196-209
Photoelectron Spectroscopies: Probes of Chemical Bonding and Electronic Properties at Semiconductor Interfaces....Pages 210-231
Two-Photon Photoemission in Semiconductors....Pages 232-238
Formation and Electrical Properties of Metal-Semiconductor Contacts....Pages 239-272
Front Matter....Pages 161-161
Deep Level Transient Spectroscopy for Semiconductor Surface and Interface Analysis....Pages 273-281
Admittance Spectroscopy of Interface States in Metal/Semiconductor Contacts....Pages 282-287
Front Matter....Pages 289-289
Optical Properties of Surfaces and Interfaces....Pages 290-300
Vibrational Properties at Semiconductor Surfaces and Interfaces....Pages 301-327
Raman Scattering from Interface Regions: Structure, Composition and Electronic Properties....Pages 328-338
Front Matter....Pages 339-339
Role of Interfaces in Semiconductor Heterostructures....Pages 340-359
The Physics of Metal Base Transistors....Pages 360-371
Perspectives on Formation and Properties of Semiconductor Interfaces....Pages 372-388
Back Matter....Pages 389-392