Semiconductor Interfaces: Formation and Properties

گرایش به کوچک‌سازی دستگاه‌های میکروالکترونیک و جستجوی دستگاه‌های اپتوالکترونیک جدید عجیب و غریب مبتنی بر چند لایه، نقش مهمی بر رابط‌های نیمه‌رسانا ایفا می‌کند. اخیراً به لطف توسعه تکنیک‌های جدید پیچیده، پیشرفت‌های بزرگی در بسط مواد لایه نازک جدید و در توصیف ویژگی‌های سطحی آنها تا مقیاس اتمی حاصل شده است. این کتاب مجموعه‌ای از سخنرانی‌هایی است که در مدرسه زمستانی بین‌المللی درباره رابط‌های نیمه‌رسانا: شکل‌گیری و ویژگی‌ها در مرکز فیزیکی روچ از 24 فوریه تا 6 مارس 1987 برگزار شد. هدف این مدرسه زمستانی ارائه یک برنامه جامع بود. بررسی این زمینه، به ویژه مواد و روش ها، و تدوین توصیه هایی برای تحقیقات آتی. موضوعات زیر بررسی می شوند: (i) تشکیل رابط. جنبه‌های کلیدی اپیتاکسی پرتوهای مولکولی، و همچنین ساخت ساختارهای لایه‌بندی مصنوعی، ابرشبکه‌های لایه‌ای کرنش‌شده و طراحی پروفیل‌های دوپینگ ناگهانی مورد تأکید قرار گرفته‌اند. (2) خصوصیات دقیق تا مقیاس اتمی با استفاده از تکنیک‌های قدرتمند و اخیراً توسعه‌یافته مانند میکروسکوپ تونل زنی روبشی، میکروسکوپ الکترونی عبوری با وضوح بالا، پراش پرتو ایکس با تابش، امواج ایستاده اشعه ایکس، جذب دقیق پرتو ایکس سطحی ساختار و سطح ساختار ظریف با از دست دادن انرژی گسترش یافته است. (iii) ویژگی‌های فیزیکی خاص رابط‌ها و کاربردهای احتمالی آنها در دستگاه‌ها. مایلیم به گرمی از همه اساتید و شرکت کنندگان و همچنین کمیته سازماندهی که باعث موفقیت این مدرسه زمستانی شدند تشکر کنیم.

The trend towards miniaturisation of microelectronic devices and the search for exotic new optoelectronic devices based on multilayers confer a crucial role on semiconductor interfaces. Great advances have recently been achieved in the elaboration of new thin film materials and in the characterization of their interfacial properties, down to the atomic scale, thanks to the development of sophisticated new techniques. This book is a collection of lectures that were given at the International Winter School on Semiconductor Interfaces: Formation and Properties held at the Centre de Physique des Rouches from 24 February to 6 March, 1987. The aim of this Winter School was to present a comprehensive review of this field, in particular of the materials and methods, and to formulate recom­ mendations for future research. The following topics are treated: (i) Interface formation. The key aspects of molecular beam epitaxy are emphasized, as well as the fabrication of artificially layered structures, strained layer superlattices and the tailoring of abrupt doping profiles. (ii) Fine characterization down to the atomic scale using recently devel­ oped, powerful techniques such as scanning tunneling microscopy, high reso­ lution transmission electron microscopy, glancing incidence x-ray diffraction, x-ray standing waves, surface extended x-ray absorption fine structure and surface extended energy-loss fine structure. (iii) Specific physical properties of the interfaces and their prospective applications in devices. We wish to thank warmly all the lecturers and participants, as well as the organizing committee, who made this Winter School a success.