Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale

کارگاه تحقیقاتی پیشرفته در مورد ویژگی های فیزیکی رابط های نیمه هادی در مقیاس زیر نانومتری از 31 اوت تا 2 سپتامبر 1992 در ریوا دل گاردا برگزار شد. ایتالیا هدف این کارگاه گرد هم آوردن متخصصان در جنبه های مختلف مطالعه رابط های نیمه هادی و در دستگاه های کوچک مقیاس بود که ویژگی های رابط می تواند بسیار قابل توجه باشد. رابط در مقیاس اتمی در مورد مسائلی که بیشترین تأثیر را بر دستگاه های آینده خواهد داشت. حدود 30 شرکت کننده از موسسات تحقیقاتی صنعتی و دانشگاهی و از 11 کشور با مقالاتی در مورد ساختار اخیر خود در کارگاه شرکت کردند. . بعد از هر سخنرانی زمان کافی برای بحث وجود داشت. و همچنین بحث خلاصه در پایان جلسه. محورهای اصلی این نشست در ادامه شرح داده شده است. این جلسه شامل چندین گفتگو در رابطه با تکنیک های مختلف رشد مورد استفاده در رشد هترواپیتاکسیال نیمه هادی ها بود. هوریکوشی فرآیندهای اتمی درگیر در MBE، MEE و MOCVD را مورد بحث قرار داد و نتایج اندازه‌گیری‌های تجربی RHEED و فوتولومینسانس را ارائه کرد. فاکسون مزایای رشد MBE، MOCVD و eBE را مقایسه کرد. مولدر مطالعات RHEED در مورد رشد Si/Ge توسط GSMBE را تشریح کرد و پاشلی نقش بازسازی های سطحی در رشد MBE را همانطور که از مطالعات STM روی GaAs مشاهده شد، مورد بحث قرار داد. از جنبه نظری، وودنسکی چندین روش مختلف را برای مدل‌سازی رشد توصیف کرد: دینامیک مولکولی، تکنیک‌های مونت کارلو، و مدل‌سازی تحلیلی.

The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.