دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فناوری نانو ویرایش: 1 نویسندگان: Victor I. Klimov سری: Optical engineering ISBN (شابک) : 082474716X, 9780824757830 ناشر: Marcel Dekker, Inc سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 484 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 16 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor and metal nanocrystals: synthesis and electronic and optical properties به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نانوبلورهای نیمه هادی و فلز: سنتز و خواص الکترونیک و نوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
نانوبلورهای نیمه هادی و فلزی به موضوعاتی می پردازد که بر این حوزه تأثیر می گذارد، از جمله سنتز و مونتاژ نانوبلورها، تئوری و طیف سنجی انتقال بین باندی و درون باندی نوری، طیف سنجی های نوری تک نانوبلوری و تونلی، حمل و نقل الکتریکی در مجموعه های موتور نانوبلورهای نانوبلور، مجموعه های فیزیکی نانوبلورها، و دستگاه های مبتنی بر نانوبلورها، و . این مرجع که توسط متخصصان نوشته شده است، پیشرفت های کلیدی در زمینه نقاط کوانتومی نانوکریستال نیمه هادی و نانوذرات فلزی را در چند سال گذشته ارائه می دهد. این به طور خاص بر روی نانوبلورهای تولید شده از طریق تکنیک های شیمیایی تمرکز می کند و مرزهای تحقیقی در فیزیک، شیمی و مهندسی را ادغام می کند.
Semiconductor and Metal Nanocrystals addresses topics impacting the field including synthesis and assembly of nanocrystals, theory and spectroscopy of interband and intraband optical transitions, single-nanocrystal optical and tunneling spectroscopies, electrical transport in nanocrystal assemblies, and physical and engineering aspects of nanocrystal-based devices. Written by experts, this reference presents key advances in the field of semiconductor nanocrystal quantum dots and metal nanoparticles over the past several years. It focuses specifically on nanocrystals generated through chemical techniques and merges investigative frontiers in physics, chemistry, and engineering.
Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications......Page 2
Cover......Page 1
Contents......Page 6
1.2 Growth......Page 12
1.4 Materials for Semiconductor Nanostructures......Page 13
1.5 Summary......Page 14
2.1 Introduction......Page 16
2.2 Review of Thermodynamics......Page 17
2.3 Bulk Crystal Growth Techniques......Page 19
2.4 Epitaxial Growth Techniques......Page 27
2.5 Thin-Film Deposition Techniques......Page 40
2.6 Growth of Nanostructures......Page 45
3.1 Introduction......Page 56
3.2 QD and QDIP Structure Growth and Characterization......Page 60
3.3 QDIP Device Characteristics......Page 87
3.4 Prognosis......Page 118
4.1 Introduction: Dimensionality and Laser Performance......Page 124
4.3 Progress in Fabricating QD Lasers......Page 126
4.4 State-of-the-Art Complications......Page 127
4.5 Novel Designs of QD Lasers with Improved Threshold and Power Characteristics......Page 159
4.6 Other Perspectives......Page 162
5.1 Introduction......Page 170
5.2 MBE Growth of Self-Organized QDs and Their Electronic Properties......Page 171
5.3 Separate Confinement Heterostructure QD Lasers and Their Limitations......Page 174
5.4 Tunnel Injection of Carriers in QDs......Page 179
5.5 Characteristics of High-Speed Tunneling-Injection QD Lasers......Page 183
5.6 Conclusion......Page 194
6.1 Introduction......Page 198
6.2 Growth Techniques......Page 202
6.3 Characterizations......Page 222
6.4 Device Applications......Page 230
7.1 Introduction......Page 240
7.2 III-Sb Binary Compounds: GaSb, AISb, and InSb......Page 246
7.3 InAsSb......Page 261
7.4 InTISb......Page 270
7.5 InBiSb......Page 273
7.6 InTIAsSb......Page 277
7.7 InAsSb/InAsSbP for IR lasers......Page 278
7.8 GaSb/InAs Type II Superlattice for IR Photodetectors......Page 284
8.1 Introduction......Page 300
8.2 Growth of III-Nitride QDs......Page 302
8.3 Optical Properties of III-Nitride QDs......Page 328
8.4 Summary......Page 354
9.2 Heteropitaxy Mechanisms......Page 360
9.3 Uniform Ge Islands......Page 361
9.4 Registration and Regimrntation of Ge Islands......Page 366
9.5 Novel Device Applications......Page 373
9.6 Conclusion......Page 378
10.1 Introduction......Page 382
10.2 Controlled Fabrication of Uniform Nanotubes in a Highly Ordered Array......Page 384
10.3 Interfacing with Biomolecules and Cells......Page 390
10.4 Intrinsic Quantum Electromechanical Couplings......Page 393
10.5 Extrinsic Coupling to Radiation Fields......Page 402
10.6 Heterojunction Nanotubes......Page 403
10.7 Prospects for Future Advances......Page 407
Acronyms......Page 414
About the Editor......Page 418
Index......Page 420