مشخصات کتاب
Selective Growth of Si Nanowire Arrays via Galvanic Displacement Processes in Water-in-Oil Microemulsions
دسته بندی: شیمی فیزیکی
ویرایش:
نویسندگان: Gao D., He R., Carraro C., Howe R.T., Yang P., Maboudian R.
سری:
ناشر:
سال نشر:
تعداد صفحات: 3
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 538 کیلوبایت
قیمت کتاب (تومان) : 45,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رشد انتخابی آرایه های Si Nanowire از طریق فرآیندهای جابجایی گالوانیک در میکرومولسیون های آب در روغن: شیمی و صنایع شیمیایی، شیمی فیزیکی و کلوئیدی
میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 18
در صورت تبدیل فایل کتاب Selective Growth of Si Nanowire Arrays via Galvanic Displacement Processes in Water-in-Oil Microemulsions به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رشد انتخابی آرایه های Si Nanowire از طریق فرآیندهای جابجایی گالوانیک در میکرومولسیون های آب در روغن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب رشد انتخابی آرایه های Si Nanowire از طریق فرآیندهای جابجایی گالوانیک در میکرومولسیون های آب در روغن
مقاله \"رشد انتخابی بلوکهای سیلیکونی نانوسیمها از طریق
فرآیندهای جابجایی گالوانیکی در میکروامولسیونهای معکوس\" مجله
انجمن شیمی آمریکا، 2005، شماره 127 (13)، صفحات 4574-4575
انتظار می رود که
نانوسیم های نیمه هادی از محدودیت های ساخت صنعت IC فعلی عبور
کرده و به عنوان واحدهای متصل و عملکردی در دستگاه های
الکترونیکی، نوری، الکتروشیمیایی و الکترومکانیکی استفاده شوند.
اگرچه اخیراً پیشرفت قابل توجهی در توسعه حسگرهای مبتنی بر
نانوسیم، ترانزیستورهای اثر میدانی و لیزرها حاصل شده است، سنتز و
مونتاژ نانوسیم ها برای ساخت انبوه قابل تکرار این دستگاه ها
همچنان یک چالش است. پایین به بالا،------------------------
(VLS) قطر نانوسیمهای سنتز شده با روش VLS عمدتاً با اندازه
خوشههای فلزی تعیین میشود که در مرحله اولیه رشد نانوسیم به
عنوان مکانهای هستهزایی عمل میکنند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Статья "Селективный рост кремниевых блоков нанопроводов через
процессы гальванического смещения в обратных микроэмульсиях"
журнала Journal of the American Chemical Society, 2005 год,
#127 (13), страницы 4574-4575
Semiconductor nanowires are expected
to break through the fabrication limitations of the present IC
industry and be employed as both interconnects and functional
units in electronic, optoelectronic, electrochemical, and
electromechanical devices. Although significant progress has
been made recently in the development of nanowire-based
sensors, field effect transistors, and lasers, the synthesis
and assembly of nanowires for reproducible massfabrication of
these devices remain a challenge. Among the bottomup
approaches, the vapor-liquid-solid (VLS) method has attracted
much attention for its application in synthesizing
single-crystalline nanowires of various compositions in large
quantities and its selfalignment capability during the growth
of nanowires. The
diameters of the nanowires synthesized by the VLS method are
mainly determined by the size of the metal clusters that serve
as the nucleation sites during the initial phase of the
nanowire growth.
نظرات کاربران