Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS IV: Proceedings of the Fourth International Conference, Osaka, Japan, November 13–19, 1983

این جلد شامل مجموعه مقالات کامل چهارمین کنفرانس بین المللی طیف سنجی جرمی یونی ثانویه (SIMS-IV) است که در هتل Minoo-Kanko، اوزاکا، ژاپن، از 13 تا 19 نوامبر 1983 برگزار شد. با هماهنگی یک سازمان محلی یا سازمانی کمیته تحت نظارت کمیته سازماندهی بین المللی، کنفرانس های قبلی را که در مونستر (1977)، استنفورد (1979) و بوداپست (1981) برگزار شده بود، دنبال کرد. در این کنفرانس حدود 250 شرکت کننده از 18 کشور جهان حضور داشتند و 130 مقاله شامل 24 مقاله دعوت شده ارائه شد. با انعکاس فعالیت‌های در حال گسترش سریع رپ در زمینه SIMS، مقالات آموزنده حاوی اطلاعات به‌روز در مورد SIMS و زمینه‌های مختلف مرتبط ارائه شد. این جلسات بر شش موضوع اصلی متمرکز بود: (1) مبانی آبریزش و تشکیل یون ثانویه. (2) پیشرفت های اخیر در ابزار دقیق، از جمله سیم های زیر میکرون و پردازش تصویر. (3) SIMS با سایر تکنیک های تجزیه و تحلیل سطح ترکیب شده است. (4) روش های تحلیلی برجسته مرتبط با SIMS مانند SIMS میکروکاوشگر لیزری، طیف سنجی جرمی خنثی پراکنده، طیف سنجی جرمی خنثی های پراکنده شده با یونیزاسیون رزونانس چند فوتونی، و SIMS مبتنی بر شتاب دهنده. (5) SIMS ارگانیک و FAB که اخیراً به یک تکنیک به سرعت در حال گسترش در داروسازی، بیوتکنولوژی و غیره تبدیل شده است. ریال جفت معدنی کنفرانس به عنوان محلی برای تبادل نظر و اطلاعات در مورد تمام موضوعات فوق، موفقیت بزرگی را نشان داد.

This volume contains full proceedings of the Fourth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS-IV), held in the Minoo-Kanko Hotel, Osaka, Japan, from November 13th to 19th, 1983. Coordinated by a local or­ ganizing committee under the auspices of the international organizing com­ mittee, it followed earlier conferences held in MUnster (1977), Stanford (1979), and Budapest (1981). The conference was attended by about 250 participants from 18 countries, and 130 papers including 24 invited ones were presented. Reflecting the rap­ idly expanding activities in the SIMS field, informative papers were pre­ sented containing up-to-date information on SIMS and various related fields. The proceedings focussed upon six main issues: (1) Fundamentals of sput­ tering and secondary ion formation. (2) Recent progress in instrumentation, including submicron SIMS and image processing. (3) SIMS combined with other surface analysis techniques. (4) Outstanding SIMS-related analytical methods such as laser-microprobe SIMS, sputtered neutral mass spectrometry, mass spectrometry of sputtered neutrals by multi-photon resonance ionization, and accelerator-based SIMS. (5) Organic SIMS and FAB which has recently become a rapidly expanding technique in pharmacy, biotechnology, etc. (6) Appl ica­ tions of SIMS to various fields such as metallurgy, geology, and biology, including depth profiling of semiconductors, and analysis of inorganic mate­ rials. As a venue for the exchange of ideas and information concerning all the above issues, the conference proved a great success.