Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS III: Proceedings of the Third International Conference, Technical University, Budapest, Hungary, August 30–September 5, 1981

بعد از جلسات دوسالانه در MUnster (1977) و Stanford (1979)، سومین کنفرانس بین المللی طیف سنجی جرمی ثانویه یونی از 31 اوت تا 5 سپتامبر 1981 در بوداپست برگزار شد. در کنفرانس حدود 250 شرکت کننده حضور داشتند. موفقیت کنفرانس 1981 در بوداپست به ویژه به دلیل آمادگی و سازماندهی عالی توسط کمیته سازماندهی محلی بود. ما همچنین می خواهیم از مهمان نوازی و همکاری سخاوتمندانه آکادمی علوم مجارستان قدردانی کنیم. ژاپن به عنوان محل برگزاری کنفرانس بعدی در سال 1983 انتخاب شد. کنفرانس های SIMS به دو موضوع اصلی اختصاص داده شده است: بهبود کاربرد SIMS در زمینه های مختلف و به ویژه جدید، و درک فرآیند تشکیل یون. نیازی به گفتن نیست که تعامل بسیار قوی بین این دو موضوع وجود دارد. دلیل اصلی افزایش سریع فعالیت های SIMS در چند سال اخیر این واقعیت است که SIMS یک ابزار قدرتمند برای تجزیه و تحلیل حجیم، لایه نازک و سطح است. امروزه به طور گسترده و با موفقیت در زمینه های مختلف مانند پروفایل عمق و تصویربرداری از دستگاه های نیمه هادی، در تجزیه و تحلیل ایزوتوپی مواد معدنی، در تصویربرداری از بافت های بیولوژیکی، در مطالعه کاتالیزورها و واکنش های کاتالیزوری، در تجزیه و تحلیل لایه اکسید روی فلزات در تشخیص دارو استفاده می شود. و در تجزیه و تحلیل مایعات بدن.

Following the biannual meetings in MUnster (1977) and Stanford (1979) the Third International Conference on Secondary Ion Mass Spectroscopy was held in Budapest from August 31 to September 5, 1981. The Conference was attended by about 250 participants. The success of the 1981 Conference in Budapest was especially due to the excellent preparation and organization by the Local Organizing Committee. We would also like to acknowledge the generous hospitality and cooperation of the Hungarian Academy of Sciences. Japan was chosen to be the location for the next conference in 1983. SIMS conferences are devoted to two main issues: improving the application of SIMS in different and especially new fields, and understanding the ion formation process. Needless to say, there is a very strong interaction be­ tween these two issues. The major reason for the rapid increase in SIMS activities in the last few years is the fact that SIMS is a powerful tool for bulk, thin-film, and surface analysis. Today it is extensively and successfully applied in such different fields as depth profiling and imaging of semiconductor devices, in isotope analysis of minerals, in imaging biological tissues, in the study of catalysts and catalytic reactions, in oxide-layer analysis on metals in drug detection, and in the analysis of body fluids.