Scanning Tunneling Microscopy I: General Principles and Applications to Clean and Absorbate-Covered Surfaces

از زمان انتشار اولین ویرایش "میکروسکوپ قیف‌گیری اسکن I"، پیشرفت قابل‌توجهی در کاربرد STM در کلاس‌های مختلف موادی که در این جلد پردازش شده‌اند، به‌ویژه در زمینه جاذب‌ها حاصل شده است. و سیستم های مولکولی به‌روزرسانی جدیدترین پیشرفت‌ها در فصل 9 دیگری ارائه می‌شود. ویراستاران از همه مشارکت‌کنندگانی که مطالب دوستیابی را فراهم کرده‌اند و کسانی که پیشنهاداتی را برای بهبود بیشتر به ما ارائه کرده‌اند، تشکر می‌کنند. ما همچنین از Springer-Verlag به خاطر تصمیم به انتشار این نسخه دوم در جلد شومیز تشکر می کنیم و بدین ترتیب این کتاب را برای دایره وسیع تری از خوانندگان مقرون به صرفه می کنیم. هامبورگ، ژوئیه 1994 R. Wiesendanger مقدمه بر نسخه اول از زمان اختراع خود در سال 1981 توسط G. Binnig، H. Rohrer و همکاران در آزمایشگاه تحقیقاتی IBM Zurich، میکروسکوپ تونل زنی روبشی (STM) به یک تکنیک تجزیه و تحلیل سطح با ارزش تبدیل شده است. بررسی ساختارهای سطحی فضای واقعی در سطح اتمی سادگی مفهومی تکنیک STM شگفت‌آور است: آوردن یک سوزن تیز به چند آنگستروم از سطح یک نمونه رسانا و استفاده از جریان تونل زنی که با اعمال ولتاژ بایاس جریان می‌یابد تا سطح اتمی و الکترونیکی را حس کند. ساختار با وضوح اتمی! قبل از سال 1981 تردیدهای قابل توجهی در مورد عملی بودن این رویکرد وجود داشت.

Since the first edition of "Scanning 'funneling Microscopy I" has been pub­ lished, considerable progress has been made in the application of STM to the various classes of materials treated in this volume, most notably in the field of adsorbates and molecular systems. An update of the most recent develop­ ments will be given in an additional Chapter 9. The editors would like to thank all the contributors who have supplied up­ dating material, and those who have provided us with suggestions for further improvements. We also thank Springer-Verlag for the decision to publish this second edition in paperback, thereby making this book affordable for an even wider circle of readers. Hamburg, July 1994 R. Wiesendanger Preface to the First Edition Since its invention in 1981 by G. Binnig, H. Rohrer and coworkers at the IBM Zurich Research Laboratory, scanning tunneling microscopy (STM) has devel­ oped into an invaluable surface analytical technique allowing the investigation of real-space surface structures at the atomic level. The conceptual simplicity of the STM technique is startling: bringing a sharp needle to within a few Angstroms of the surface of a conducting sample and using the tunneling cur­ rent, which flows on application of a bias voltage, to sense the atomic and elec­ tronic surface structure with atomic resolution! Prior to 1981 considerable scepticism existed as to the practicability of this approach.