دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Daniele Ielmini. Rainer Waser
سری:
ISBN (شابک) : 3527334173, 9783527334179
ناشر: Wiley-VCH
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 787
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 74 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب سوئیچینگ مقاومتی: از مبانی فرآیندهای ردوکس نانویونی تا کاربردهای دستگاه Memristive: استخراج و پردازش، مواد و علوم مواد، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، کتاب های درسی جدید، مستعمل و اجاره، بازرگانی و مالی، ارتباطات و روزنامه نگاری، علوم کامپیوتر، آموزش، مهندسی، علوم انسانی، حقوق، پزشکی و سلامت، مرجع، علوم ریاضیات، علوم اجتماعی، آمادگی آزمون و راهنمای مطالعه، بوتیک تخصصی
در صورت تبدیل فایل کتاب Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سوئیچینگ مقاومتی: از مبانی فرآیندهای ردوکس نانویونی تا کاربردهای دستگاه Memristive نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این مرجع با پوشش جامع خود، خوانندگان را با موضوع گسترده
سوئیچینگ مقاومتی آشنا می کند و دانش، ابزار و روش های مورد نیاز
برای درک، توصیف و به کارگیری حافظه های سوئیچینگ مقاومتی را
ارائه می دهد.
با شروع با موادی که رفتار سوئیچینگ مقاومتی را نشان می دهند، این
کتاب اصول کلیدزنی مقاومتی و همچنین مکانیسم ها و مدل های
سوئیچینگ را توضیح می دهد. یک بحث عمیق در مورد قابلیت اطمینان
حافظه با فصل هایی در مورد ساختارها و معماری سلول های حافظه
دنبال می شود، در حالی که بخشی در مورد دروازه های منطقی متن را
کامل می کند.
یک کتاب مستقل ارزشمند برای دانشمندان مواد، مهندسان برق و
فیزیکدانانی که با حافظه سروکار دارند. تحقیق و توسعه.
With its comprehensive coverage, this reference introduces
readers to the wide topic of resistance switching, providing
the knowledge, tools, and methods needed to understand,
characterize and apply resistive switching memories.
Starting with those materials that display resistive switching
behavior, the book explains the basics of resistive switching
as well as switching mechanisms and models. An in-depth
discussion of memory reliability is followed by chapters on
memory cell structures and architectures, while a section on
logic gates rounds off the text.
An invaluable self-contained book for materials scientists,
electrical engineers and physicists dealing with memory
research and development.