دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: S. Ino (auth.), P. K. Larsen, P. J. Dobson (eds.) سری: NATO ASI Series 188 ISBN (شابک) : 9781468455823, 9781468455809 ناشر: Springer US سال نشر: 1989 تعداد صفحات: 525 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 16 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب بازتاب الکترونهای دیفرانسیل و انعکاس تصویر الکترونها از سطوح: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Reflection High-Energy Electron Diffraction and Reflection Electron Imaging of Surfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب بازتاب الکترونهای دیفرانسیل و انعکاس تصویر الکترونها از سطوح نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد شامل مقالات ارائه شده در کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در "بازتاب پراش الکترونی با انرژی بالا و تصویربرداری الکترونی بازتابی از سطوح" است که در مرکز کنفرانس Koningshof، Veldhoven، هلند، 15-19 ژوئن 1987 برگزار شد. موضوعات اصلی کارگاه، پراش الکترونی با انرژی بالا (RHEED) و میکروسکوپ الکترونی بازتابی (REM)، مبنای مشترکی در فرآیندهای پراشی دارد که الکترونهای پرانرژی هنگام برهمکنش با سطوح جامد در زوایای چرا متحمل میشوند. با این حال، در حالی که REM یک تکنیک جدید است که بر اساس پیشرفتهای اخیر در میکروسکوپ الکترونی عبوری توسعه یافته است، RHEED یک روش قدیمی در کریستالوگرافی سطحی است که به کشف پراش الکترون در سال 1927 توسط دیویسون و گرمر برمیگردد. تا قبل از توسعه تکنیکهای خلاء فوقالعاده بالا در دهه 1960 که ابزارهایی را با استفاده از الکترونهای کند قابل دسترستر ساخت، RHEED تکنیک پراش الکترونی غالب بود. از آن زمان و تا همین اواخر، روش پراش الکترونی کم انرژی (LEED) تا حد زیادی از نظر محبوبیت در مطالعات سطحی از RHEED پیشی گرفت. البته این دو روش با هم مرتبط هستند و هر کدام مزایای خاص خود را دارند. هندسه زاویه چرای RHEED اکنون به یک ویژگی بسیار مفید تبدیل شده است زیرا این ویژگی آن را برای ترکیب با تکنیک رشد نازک اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) مناسب می کند. این ترکیب اجازه می دهد تا مطالعات در محل سطوح تازه رشد کرده و حتی در حال رشد را انجام دهد، و زمینه های جدیدی از تحقیقات با اهمیت اساسی و فناوری را باز کند.
This volume contains the papers presented at the NATO Advanced Research Workshop in "Reflection High Energy Electron Diffraction and Reflection Electron Imaging of Surfaces" held at the Koningshof conference center, Veldhoven, the Netherlands, June 15-19, 1987. The main topics of the workshop, Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) and Reflection Electron Microscopy (REM), have a common basis in the diffraction processes which high energy electrons undergo when they interact with solid surfaces at grazing angles. However, while REM is a new technique developed on the basis of recent advances in transmission electron microscopy, RHEED is an old method in surface crystallography going back to the discovery of electron diffraction in 1927 by Davisson and Germer. Until the development of ultra high vacuum techniques in the 1960's made instruments using slow electrons more accessable, RHEED was the dominating electron diffraction technique. Since then and until recently the method of Low Energy Electron Diffraction (LEED) largely surpassed RHEED in popularity in surface studies. The two methods are closely related of course, each with its own specific advantages. The grazing angle geometry of RHEED has now become a very useful feature because this makes it ideally suited for combination with the thin growth technique of Molecular Beam Epitaxy (MBE). This combination allows in-situ studies of freshly grown and even growing surfaces, opening up new areas of research of both fundamental and technological importance.
Front Matter....Pages i-xiii
Front Matter....Pages 1-1
Experimental Overview of Surface Structure Determination by RHEED....Pages 3-28
Surface Structural Determination Using RHEED....Pages 29-42
Theory of RHEED by Reconstructed Surfaces....Pages 43-62
Accurate Dynamical Theory for RHEED Rocking-Curve Intensity Spectra....Pages 63-75
Inelastic Scattering Effects in RHEED and Reflection Imaging....Pages 77-89
Excitation of Dielectric Spheres by Electron Beams....Pages 91-95
Front Matter....Pages 97-97
Resonance Effects in RHEED....Pages 99-107
Inelastic Scattering and Secondary Electron Emission under Resonance Conditions in RHEED from Pt(111)....Pages 109-115
Adatom Site Determination using Channeling Effects in RHEED on X-ray and Auger Electron Production....Pages 117-129
A Note on the Bloch Wave and Integral Formulations of RHEED Theory....Pages 131-136
Front Matter....Pages 137-137
Diffraction from Disordered Surfaces: An Overview....Pages 139-174
Theory of Electron Scattering from Defect: Steps on Surfaces with Non-Equivalent Terraces....Pages 175-191
Diffraction from Stepped Surfaces....Pages 193-199
RHEED and Disordered Surfaces....Pages 201-209
Temperature Diffuse Scattering in RHEED....Pages 211-216
Temperature Dependence of the Surface Disorder on Ge(001) Due to Ar + Ion Bombardment....Pages 217-224
Two-Dimensional First-Order Phase Separation in an Epitaxial Layer....Pages 225-233
Front Matter....Pages 235-235
Surface Convergent-Beam Diffraction for Characterization and Symmetry Determination....Pages 237-249
Convergent Beam RHEED Calculations using the Surface Parallel Multislice Approach....Pages 251-258
Front Matter....Pages 259-259
Reflection Electron Microscopy in TEM and STEM Instruments....Pages 261-284
Front Matter....Pages 259-259
Reflection Electron Microscopy with Use of CTEM: Studies of Au Growth on Pt(111)....Pages 285-301
Application of Reflection Electron Microscopy for Surface Science (Observation of Cleaned Crystal Surfaces of Si, Pt, Au and Ag)....Pages 303-316
Reflection Microscopy in a Scanning Transmission Electron Microscope....Pages 317-328
Contrast of Surface Steps and Dislocations under Resonance, Non-Resonance, Bragg, and Non-Bragg Conditions....Pages 329-341
Microprobe Reflection High-Energy Electron Diffraction....Pages 343-369
Scanning RHEED Studies of Silicide Formation in a UHV-SEM....Pages 371-380
Low Energy Electron Reflection Microscopy (LEEM) and Its Application to the Study of Si Surfaces....Pages 381-384
Low Energy Scanning Electron Microscope....Pages 385-393
Front Matter....Pages 395-395
RHEED Intensity Oscillations During MBE Growth of III-V Compounds - An Overview....Pages 397-417
RHEED Oscillations Control of GaAs and AlAs MBE Growth Using Phase-Lock Modulated Beams....Pages 419-426
The Contribution of Atomic Steps to Reflection High Energy Electron Diffraction from Semiconductor Surfaces....Pages 427-447
RHEED Studies of Growing Ge and Si Surfaces....Pages 449-461
LEED Investigations of Si MBE Onto Si(100)....Pages 463-473
Quantitative Studies of the Growth of Metals on GaAs(110) Using RHEED....Pages 475-488
RHEED Intensity Oscillations in Metal Epitaxy....Pages 489-499
Calculation of Rheed Intensity from Growing Surfaces....Pages 501-522
Studies of Growth Kinetics on Surfaces with Diffraction....Pages 523-536
Back Matter....Pages 539-541